Ang 8-pulgadang silicon na wafer ng VET Energy ay malawakang ginagamit sa mga power electronics, sensor, integrated circuit at iba pang larangan. Bilang isang nangunguna sa industriya ng semiconductor, nakatuon kami sa pagbibigay ng mataas na kalidad na mga produkto ng Si Wafer upang matugunan ang lumalaking pangangailangan ng aming mga customer.
Bilang karagdagan sa Si Wafer, ang VET Energy ay nagbibigay din ng malawak na hanay ng mga semiconductor substrate na materyales, kabilang ang SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, atbp. Ang aming linya ng produkto ay sumasaklaw din sa mga bagong wide bandgap semiconductor na materyales tulad ng Gallium Oxide Ga2O3 at AlN Wafer, na nagbibigay ng malakas na suporta para sa pagbuo ng mga susunod na henerasyong power electronic device.
Ang VET Energy ay may mga advanced na kagamitan sa produksyon at isang kumpletong sistema ng pamamahala ng kalidad upang matiyak na ang bawat wafer ay nakakatugon sa mahigpit na pamantayan ng industriya. Ang aming mga produkto ay hindi lamang may mahusay na mga katangian ng kuryente, ngunit mayroon ding magandang mekanikal na lakas at thermal stability.
Nagbibigay ang VET Energy sa mga customer ng mga customized na wafer solution, kabilang ang mga wafer na may iba't ibang laki, uri at doping concentration. Bilang karagdagan, nagbibigay din kami ng propesyonal na teknikal na suporta at serbisyo pagkatapos ng pagbebenta upang matulungan ang mga customer na malutas ang iba't ibang mga problemang nararanasan sa proseso ng produksyon.
WAFERING SPECIFICATIONS
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
item | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Ganap na Halaga | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
TAPUSAN SA ILAW
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
item | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Ibabaw ng Tapos | Double side Optical Polish,Si- Face CMP | ||||
Kagaspang sa Ibabaw | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Edge Chips | Walang Pinahintulutan (haba at lapad≥0.5mm) | ||||
Mga indent | Walang Pinahintulutan | ||||
Gasgas(Si-Mukha) | Dami.≤5, Pinagsama-sama | Dami.≤5, Pinagsama-sama | Dami.≤5, Pinagsama-sama | ||
Mga bitak | Walang Pinahintulutan | ||||
Pagbubukod ng Edge | 3mm |