SiC örtükli grafit MOCVD Wafer göterijileri ，Grafit duýgurlarySiC Epitaxy üçin,
Uglerod duýgurlary üpjün edýär, epitaksiýa duýgurlary, Grafit duýgurlary,

CVD-SiC örtügi birmeňzeş gurluş, ykjam material, ýokary temperatura garşylygy, okislenme garşylygy, ýokary arassalygy, kislota we aşgar garşylygy we durnukly fiziki we himiki aýratynlyklary bolan organiki reagent aýratynlyklaryna eýedir.

Highokary arassa grafit materiallary bilen deňeşdirilende, grafit 400C-de okislenip başlaýar, bu bolsa okislenme sebäpli tozanyň ýitmegine, periferiýa enjamlaryna we wakuum kameralaryna daşky gurşawyň hapalanmagyna we ýokary arassa gurşawyň hapalanmagyna sebäp bolar.

Şeýle-de bolsa, SiC örtügi 1600 dereje fiziki we himiki durnuklylygy saklap bilýär, häzirki zaman senagatynda, esasanam ýarymgeçiriji pudagynda giňden ulanylýar.

Kompaniýamyz, grafitiň, keramikanyň we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen SiC örtük hyzmatlaryny hödürleýär, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir eder, SIK gorag gatlagyny emele getirýär. Döredilen SIK grafit bazasyna berk bagly bolup, grafit bazasyna aýratyn aýratynlyklar berýär, şeýlelik bilen grafitiň ýüzüni ykjam, gözeneksiz, ýokary temperatura garşylygy, poslama garşylyk we okislenme garşylygy edýär.

Arza:

Esasy aýratynlyklary:

1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:

oksidlenme garşylygy, temperatura 1700 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.

2. Highokary arassalygy: ýokary temperaturaly hlorlaşma şertinde himiki buglaryň çökmegi bilen öndürilýär.

3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.

4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.

CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:

Üpjünçilik ukyby:

Aýda 10000 bölek / bölek
Gaplamak we eltip bermek:
Gaplamak: Standart we güýçli gaplamak
Poli halta + guty + karton + palet
Port:
Ningbo / Şençzhenen / Şanhaý
Gurşun wagty: