SiC örtükli suseptor dürli ýarymgeçiriji önümçilik proseslerinde ulanylýan esasy komponentdir.Patentlenen tehnologiýamyzy aşa ýokary arassalygy, örtüginiň birmeňzeşligi we ajaýyp hyzmat ömri, şeýle hem ýokary himiki garşylyk we termiki durnuklylyk aýratynlyklary bilen SiC bilen örtülen süsketor öndürmek üçin ulanýarys.
Önümlerimiziň aýratynlyklary:
1. 1700 up çenli ýokary temperatura okislenme garşylygy.
2. purokary arassalyk we ýylylyk birmeňzeşligi
3. Ajaýyp poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
4. hardokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
5. Has uzak hyzmat ömri we has berk
| CVD SiC薄膜 基本 物理 性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük | |
| 性质 / Emläk | 典型 数值 / Adaty baha |
| 晶体 结构 / Kristal gurluş | FCC β tapgyry多 晶 ， （（111） 取向 |
| 密度 / Dykyzlygy | 3.21 g / sm³ |
| 硬度 / Gatylyk | 2500 维 氏 硬度 g 500g ýük） |
| 晶粒 大小 / Galla SiZe | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Himiki arassalygy | 99.99995% |
| 热 容 / Atylylyk kuwwaty | 640 J · kg-1· K.-1 |
| 升华 温度 / Sublimasiýa temperaturasy | 2700 ℃ |
| 抗弯 强度 / Fleksural güýç | 415 MPa RT 4 bal |
| 杨氏 模 量 / 'Aş modul | 430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃ |
| 导热 系数 / TermalGeçirijilik | 300W · m-1· K.-1 |
| 热 膨胀 系数 / Malylylyk giňelişi (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Zawodymyza baryp görmegiňizi mähirli garşylaýarys, geliň mundan beýläk pikir alyşalyň!
