SiC örtükli suseptor dürli ýarymgeçiriji önümçilik proseslerinde ulanylýan esasy komponentdir. Patentlenen tehnologiýamyzy aşa ýokary arassalygy, örtüginiň birmeňzeşligi we ajaýyp hyzmat ömri, şeýle hem ýokary himiki garşylyk we termiki durnuklylyk aýratynlyklary bilen SiC bilen örtülen süsketor öndürmek üçin ulanýarys.
Önümlerimiziň aýratynlyklary:
1. 1700 up çenli ýokary temperatura okislenme garşylygy.
2. Highokary arassalyk we ýylylyk birmeňzeşligi
3. Ajaýyp poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
4. hardokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
5. Uzak hyzmat möhleti we has çydamly
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük | |
| 性质 / Emläk | 典型数值 / Adaty baha |
| 晶体结构 / Kristal gurluş | FCC β tapgyry多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / Dykyzlygy | 3.21 g / sm³ |
| 硬度 / Gatylyk | 2500 维氏硬度（ 500g ýük） |
| 晶粒大小 / Galla SiZe | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Himiki arassalygy | 99.99995% |
| 热容 / Atylylyk kuwwaty | 640 J · kg-1· K.-1 |
| 升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Fleksural güýç | 415 MPa RT 4 bal |
| 杨氏模量 / 'Aş modul | 430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TermalGeçirijilik | 300W · m-1· K.-1 |
| 热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Zawodymyza baryp görmegiňizi mähirli garşylaýarys, geliň mundan beýläk pikir alyşalyň!
