GirişSilikon Karbid
Silikon karbidiň (SIK) dykyzlygy 3,2g / cm3. Tebigy kremniniň karbidi gaty seýrek we esasan emeli usul bilen sintez edilýär. Kristal gurluşyň dürli klassifikasiýasyna görä, kremniy karbidi iki kategoriýa bölmek bolar: α SiC we β SiC. Silikon karbid (SIK) bilen görkezilen üçünji nesil ýarymgeçirijiniň ýokary ýygylygy, ýokary netijeliligi, ýokary güýji, ýokary basyşa garşylygy, ýokary temperatura garşylygy we güýçli radiasiýa garşylygy bar. Energiýany tygşytlamak we zyňyndylary azaltmak, akylly önümçilik we maglumat howpsuzlygy üçin esasy strategiki zerurlyklar üçin amatlydyr. Täze nesil ykjam aragatnaşygyň, täze energiýa ulaglarynyň, ýokary tizlikli demirýol otlylarynyň, energiýa internetiniň we beýleki pudaklaryň garaşsyz innowasiýasyny we ösüşini we özgerdilmegini goldamak, döwrebaplaşdyrylan esasy materiallar we elektron bölekleri global ýarymgeçiriji tehnologiýa we senagat bäsleşiginiň merkezine öwrüldi. . 2020-nji ýylda global ykdysady we söwda görnüşi täzeden gurulýan döwürde, Hytaýyň ykdysadyýetiniň içerki we daşarky gurşawy has çylşyrymly we agyr, emma dünýäde üçünji nesil ýarymgeçiriji pudagy bu tendensiýa garşy ösýär. Silikon karbid senagatynyň täze ösüş etabyna girendigini ykrar etmek gerek.
Silikon karbidamaly
Icarymgeçiriji pudagynda kremniý karbid ulanylyşy kremniý karbid ýarymgeçiriji senagat zynjyrynda esasan kremniy karbid ýokary arassa poroşok, ýekeje kristal substrat, epitaksial, güýç enjamy, modul gaplamak we terminal ulanylyşy we ş.m. bar.
1. singleeke kristal substrat ýarymgeçirijiniň goldaw materialy, geçiriji material we epitaksial ösüş substratydyr. Häzirki wagtda SiC ýeke kristalynyň ösüş usullaryna fiziki gaz geçirişi (PVT), suwuk faza (LPE), ýokary temperaturaly himiki bug buglanyşy (htcvd) we ş.m. degişlidir. 2. Epitaksial kremniy karbid epitaksial sahypasy, belli bir talaplar we substrat bilen birmeňzeş bir kristal filmiň (epitaksial gatlak) ösmegini aňladýar. Iş ýüzünde giň zolakly ýarymgeçiriji enjamlaryň hemmesi diýen ýaly epitaksial gatlakda bolýar we kremniý karbid çipleriniň özi diňe Gan epitaksial gatlaklaryny goşmak bilen substrat hökmünde ulanylýar.
3. ýokary arassalykSiCporoşok, PVT usuly bilen kremniý karbid ýeke kristalynyň ösmegi üçin çig maldyr. Önümiň arassalygy SiC ýeke kristalynyň ösüş hiline we elektrik aýratynlyklaryna gönüden-göni täsir edýär.
4. Kuwwat enjamy ýokary temperatura garşylyk, ýokary ýygylyk we ýokary netijelilik aýratynlyklaryna eýe bolan kremniy karbidden ýasalýar. Enjamyň iş görnüşine görä,SiCkuwwat enjamlaryna esasan güýç diodlary we tok açar turbalary girýär.
5. Üçünji nesil ýarymgeçiriji programmasynda, ahyrky programmanyň artykmaçlyklary, GaN ýarymgeçirijisini dolduryp biler. Conversokary öwrüliş netijeliliginiň, pes ýyladyş aýratynlyklarynyň we SiC enjamlarynyň ýeňil agramlarynyň artykmaçlyklary sebäpli, SiO2 enjamlaryny çalyşmak tendensiýasy bolan aşaky senagata bolan isleg artmagyny dowam etdirýär. Silikon karbid bazarynyň häzirki ýagdaýy yzygiderli ösýär. Silikon karbid, üçünji nesil ýarymgeçirijiniň ösüş bazaryndaky ulanylyşyna ýolbaşçylyk edýär. Üçünji nesil ýarymgeçiriji önümler has çalt aralaşdy, amaly meýdanlar yzygiderli giňelýär we awtoulag elektronikasynyň, 5g aragatnaşygynyň, çalt zarýad berilýän elektrik üpjünçiliginiň we harby ulanyşyň ösmegi bilen bazar çalt ösýär. .
Iş wagty: 16-2021-nji mart