Icarymgeçiriji materialyň täze görnüşi hökmünde, SiC ajaýyp fiziki we himiki aýratynlyklary sebäpli gysga tolkunly optoelektron enjamlaryny, ýokary temperatura enjamlaryny, radiasiýa garşylyk enjamlaryny we ýokary güýçli / ýokary güýçli elektron enjamlaryny öndürmek üçin iň möhüm ýarymgeçiriji material boldy. elektrik aýratynlyklary. Esasanam aşa we agyr şertlerde ulanylanda, SiC enjamlarynyň aýratynlyklary Si enjamlarynyň we GaAs enjamlarynyňkydan has ýokarydyr. Şonuň üçin SiC enjamlary we dürli görnüşli datçikler kem-kemden has möhüm rol oýnaýan esasy enjamlaryň birine öwrüldi.
SiC enjamlary we zynjyrlary 1980-nji ýyllardan, esasanam 1989-njy ýyldan bäri ilkinji SiC substrat wafli bazara çykandan bäri çalt ösdi. Lightagtylyk diodlary, ýokary ýygylykly ýokary güýçli we ýokary woltly enjamlar ýaly käbir ugurlarda SiC enjamlary söwda taýdan giňden ulanyldy. Ösüş çalt. 10 ýyl töweregi ösüşden soň, SiC enjam prosesi täjirçilik enjamlaryny öndürip bildi. Kri tarapyndan wekilçilik edilýän birnäçe kompaniýa SiC enjamlarynyň täjirçilik önümlerini hödürläp başlady. Içerki gözleg institutlary we uniwersitetleri hem SiC material ösüşinde we enjam öndürmek tehnologiýasynda kanagatlanarly üstünlikler gazandylar. SiC materialynyň fiziki we himiki aýratynlyklaryndan has ýokarydygyna we SiC enjam tehnologiýasynyň hem kämillik derejesine ýetendigine garamazdan, SiC enjamlarynyň we zynjyrlarynyň öndürijiligi ýokary däl. SiC materialdan başga-da enjam we enjam prosesi yzygiderli kämilleşdirilmeli. S5C enjam gurluşyny optimizirlemek ýa-da täze enjam gurluşyny teklip etmek arkaly SiC materiallaryndan nädip peýdalanmalydygy barada has köp tagalla etmeli.
Häzirki wagtda. SiC enjamlarynyň gözlegleri esasan aýratyn enjamlara gönükdirilýär. Enjam gurluşynyň her görnüşi üçin deslapky gözleg, degişli Si ýa-da GaAs enjam gurluşyny enjamyň gurluşyny optimizasiýa etmezden SiC-e geçirmekdir. SiC-iň içki oksid gatlagy SiO2 bilen Si bilen birmeňzeş bolany üçin, Si enjamlarynyň köpüsiniň, esasanam m-pa enjamlarynyň SiC-de öndürilip bilinjekdigini aňladýar. Diňe ýönekeý göçürme bolsa-da, alnan enjamlaryň käbiri kanagatlanarly netijeleri gazandy we käbir enjamlar eýýäm zawod bazaryna girdi.
SiC optoelektron enjamlary, esasanam gök ýagtylyk çykaryjy diodlar (BLU şöhleleri) 1990-njy ýyllaryň başynda bazara çykdy we ilkinji köpçülikleýin öndürilen SiC enjamlarydyr. Volokary woltly SiC Schottky diodlary, SiC RF güýç tranzistorlary, SiC MOSFET we mesFET-ler hem söwda taýdan elýeterlidir. Elbetde, bu SiC önümleriniň hemmesiniň öndürijiligi SiC materiallarynyň super aýratynlyklaryny oýnamakdan uzakdyr we SiC enjamlarynyň has güýçli işlemegi we öndürijiligi entek gözlenmeli we ösdürilmeli. Şeýle ýönekeý göçürmeler köplenç SiC materiallarynyň artykmaçlyklaryndan doly peýdalanyp bilmeýär. SiC enjamlarynyň käbir artykmaçlyklary babatynda-da. Ilki öndürilen SiC enjamlarynyň käbiri degişli Si ýa-da CaAs enjamlarynyň işleýşine gabat gelip bilmeýär.
SiC material aýratynlyklarynyň artykmaçlyklaryny SiC enjamlarynyň artykmaçlyklaryna has gowy öwürmek üçin, häzirki wagtda enjam öndürmek prosesini we enjam gurluşyny nädip optimallaşdyrmalydygyny ýa-da SiC enjamlarynyň işleýşini we işleýşini gowulandyrmak üçin täze gurluşlary we täze prosesleri ösdürmegi öwrenýäris.
Iş wagty: Awgust-23-2022