Ondarymgeçiriji enjam, kompýuterlerde, sarp ediş elektronikasynda, tor aragatnaşygynda, awtoulag elektronikasynda we beýleki ýadro ugurlarynda giňden ulanylýan häzirki zaman senagat maşyn enjamlarynyň özenidir, ýarymgeçiriji pudagy esasan dört esasy komponentden durýar: integral zynjyrlar, optoelektron enjamlary, integral zynjyrlaryň 80% -den gowragyny emele getirýän aýratyn enjam, datçik, köplenç we ýarymgeçiriji we integral zynjyryň ekwiwalenti.
Önüm kategoriýasyna görä toplumlaýyn zynjyr esasan dört kategoriýa bölünýär: mikroprosessor, ýat, logika enjamlary, simulýator bölekleri. Şeýle-de bolsa, ýarymgeçiriji enjamlaryň ulanylyş meýdanynyň yzygiderli giňelmegi bilen, köp aýratyn ýagdaý ýarymgeçirijilerden ýokary temperatura, güýçli radiasiýa, ýokary güýç we beýleki gurşawyň ulanylmagyna boýun bolmagy talap edýär, birinji we ikinji nesil zyýan bermeýär. ýarymgeçiriji materiallar güýçsiz, şonuň üçin ýarymgeçiriji materiallaryň üçünji nesli emele geldi.
Häzirki wagtda giň zolakly boşluk ýarymgeçiriji materiallarkremniý karbid. Giň zolakly boşluk giňligi bilen ýarymgeçiriji materiallaryň üçünji nesli, bölünip çykýan elektrik meýdany, ýylylyk geçirijiligi, elektron doýgunlygy we radiasiýa garşy has ýokary ukyby, ýokary temperatura, ýokary ýygylyk, radiasiýa garşylygy we ýokary güýç enjamlary üçin has amatlydyr , adatça giň zolakly ýarymgeçiriji materiallar (gadagan zolak giňligi 2,2 eV-den uly) diýlip atlandyrylýar, şeýle hem ýokary temperatura ýarymgeçiriji materiallar diýilýär. Üçünji nesil ýarymgeçiriji materiallar we enjamlar boýunça häzirki gözleglerden, kremniy karbid we galiý nitrid ýarymgeçiriji materiallar has kämildir wekremniý karbid tehnologiýasysink oksidi, göwher, alýumin nitrit we beýleki materiallar boýunça gözlegler entek başlangyç tapgyrda.
Materiallar we olaryň häsiýetleri ：
Silikon karbidkeramiki şar podşipniklerinde, klapanlarda, ýarymgeçiriji materiallarda, girlerde, ölçeg gurallarynda, howa we beýleki meýdanlarda giňden ulanylýar, köp senagat pudagynda çalşyp bolmajak material boldy.
SiC tebigy ajaýyplygyň bir görnüşi we adaty birmeňzeş polip görnüşidir. Dürli kristal gurluşlara sebäp bolýan Si we C diatomiki gatlaklaryň arasyndaky gaplama yzygiderliliginiň tapawudy sebäpli 200-den gowrak (häzirki wagtda belli) gomotip polipip maşgalasy bar. Şonuň üçin SiC täze nesil ýagtylyk çykaryjy diod (LED) substrat materialy, ýokary güýçli elektron materiallary üçin örän amatlydyr.
| häsiýetli | |
| fiziki eýeçilik | Hardokary gatylygy (3000kg / mm), ýakut kesip biler |
| Almazdan soň ikinji ýerde ýokary eşik garşylygy | |
| Malylylyk geçirijiligi Si-den 3 esse, GaA-lardan 8 ~ 10 esse ýokary. | |
| SiC-iň ýylylyk durnuklylygy ýokary we atmosfera basyşynda eremek mümkin däl | |
| Heatylylygy bölüp çykarmak ýokary güýçli enjamlar üçin örän möhümdir | |
|
himiki eýeçiligi | Örän güýçli poslama garşylyk, otag temperaturasynda belli bir poslaýjy serişdä çydamly |
| SiC üstü aňsatlyk bilen oksidlenýär, SiO, inçe gatlak, mundan beýläk okislenmeginiň öňüni alyp biler 1700 above-dan ýokary, oksid filmi çalt ereýär we okislenýär | |
| 4H-SIC we 6H-SIC zolagy Si-den 3 esse, GaA-lardan 2 esse köp: Bölünýän elektrik meýdanynyň intensiwligi Si-den ýokary ululykdaky tertipdir we elektronyň hereket tizligi doýýar Iki ýarym gezek Si. 4H-SIC zolagy 6H-SIC-den has giňdir |
Iş wagty: Awgust-01-2022