Önüm maglumatlary we maslahat üçin web sahypamyza hoş geldiňiz.
Sahypamyz:https://www.vet-china.com/
Poly we SiO2:
Ondan soň artykmaç Poly we SiO2 ýok edilýär, ýagny aýrylýar. Bu wagt ugrukdyryjyçişirmekulanylýar. Düwürtmäniň klassifikasiýasynda, ugrukdyryjy we ugrukdyryjy etiň klassifikasiýasy bar. Ectionol görkeziji degişlidirçişirmekbelli bir ugra, ugrukdyrylmaýan ugrukdyrma bolsa-da (tötänleýin gaty köp diýdim. Gysgaça aýdylanda, SiO2-ni belli bir kislotalar we esaslar arkaly belli bir ugurdan aýyrmak). Bu mysalda, SiO2-ni aýyrmak üçin aşaky ugry ulanýarys we ol şeýle bolýar.
Ahyrynda, fotorezisti aýyryň. Bu wagt, fotorezisti aýyrmagyň usuly ýokarda agzalan ýagty şöhlelenme arkaly işjeňleşdirme däl-de, başga usullar arkaly amala aşyrylýar, sebäbi bu wagt belli bir ululygy kesgitlemek zerurlygy ýok, ähli fotorezisti aýyrmak gerek. Ahyrynda, aşakdaky suratda görkezilişi ýaly bolýar.
Şeýlelik bilen, Poly SiO2-iň anyk ýerini saklamak maksadyna ýetdik.
Çeşmäniň we zeýkeşiň emele gelmegi:
Ahyrynda, çeşmäniň we zeýkeşiň emele gelşine seredeliň. Soňky sanynda bu hakda gürleşendigimizi hemmeler ýadyna salýar. Çeşme we zeýkeş birmeňzeş elementler bilen ion bilen ýerleşdirilýär. Bu wagt, N görnüşiniň goýulmaly çeşmesini / drena area meýdançasyny açmak üçin fotorezist ulanyp bileris. Diňe NMOS-ny mysal hökmünde alýandygymyz üçin, aşakdaky suratda görkezilişi ýaly ýokardaky şekildäki ähli bölekler açylar.
Fotorezist bilen örtülen bölegi ýerleşdirip bolmaýandygy sebäpli (yşyk ýapylýar), N görnüşli elementler diňe zerur NMOS-a ýerleşdiriler. Poliniň aşagyndaky substrat poli we SiO2 bilen bloklananlygy sebäpli, implantasiýa edilmez, şonuň üçin şeýle bolar.
Bu pursatda ýönekeý MOS modeli ýasaldy. Teoriýa boýunça, çeşmä, drena ,, poli we substrata naprýa .eniýe goşulsa, bu MOS işläp biler, ýöne diňe bir gözleg alyp, çeşmä we drena toa göni naprýa .eniýe goşup bilmeris. Bu wagt MOS simleri gerek, ýagny bu MOS-da köp MOS-y birleşdirmek üçin simleri birikdiriň. Sim geçirişine göz aýlalyň.
WIA etmek:
Birinji ädim, aşakdaky suratda görkezilişi ýaly tutuş MOS-ny SiO2 gatlagy bilen örtmek:
Elbetde, bu SiO2 CVD tarapyndan öndürilýär, sebäbi gaty çalt we wagt tygşytlaýar. Aşakdakylar henizem fotorezist goýmak we paş etmek prosesi. Ahyryndan soň, şuňa meňzeýär.
Soňra aşakdaky şekiliň çal böleginde görkezilişi ýaly SiO2-de deşik çykarmak usulyny ulanyň. Bu deşigiň çuňlugy Si ýüzüne gönüden-göni degýär.
Ahyrynda, fotorezisti aýyryň we aşakdaky görnüşi alyň.
Bu wagt edilmeli zat, bu deşikdäki geçirijini doldurmak. Bu dirijor näme? Her kompaniýa başga, köpüsi wolfram erginleri, bu deşigi nädip dolduryp bolar? PVD (Fiziki bug çöketligi) usuly ulanylýar we ýörelge aşakdaky surata meňzeýär.
Maksatly materialy bombalamak üçin ýokary energiýaly elektronlary ýa-da ionlary ulanyň, döwülen maksatly material atom görnüşinde düýbüne düşer we şeýlelik bilen aşakdaky örtügi emele getirer. Adatça habarlarda görýän maksatly materialymyz bu ýerdäki maksatly materiallara degişlidir.
Çukury doldurandan soň, şuňa meňzeýär.
Elbetde, ony dolduranymyzda, örtügiň galyňlygyny deşigiň çuňlugyna deň derejede dolandyrmak mümkin däl, şonuň üçin artykmaçlyk bolar, şonuň üçin gaty eşidilýän CMP (Himiki mehaniki polishing) tehnologiýasyny ulanýarys. ýokary derejeli, ýöne aslynda artykmaç bölekleri üwürýär. Netije şeýle.
Bu pursatda, bir gatlagyň önümçiligini tamamladyk. Elbetde, önümçilik esasan yzdaky metal gatlagyň simleri üçin.
Metal gatlak önümçiligi:
Aboveokardaky şertlerde başga bir metal gatlagyny goýmak üçin PVD ulanýarys. Bu metal esasan mis esasly ergin.
Soňra täsir edenden we çişirilenden soň, islän zadymyzy alarys. Soňra zerurlyklarymyzy kanagatlandyrýançam ýygnamagy dowam etdiriň.
Tertibi çyzanymyzda, näçe metal gatlagynyň we ulanylan prosesiň üsti bilen iň köp saklanyp biljekdigini aýdarys, bu bolsa näçe gatlak saklanyp biljekdigini aňladýar.
Ahyrynda bu gurluşy alýarys. Topokarky pad bu çipiň çeňňegi bolup, gaplanylandan soň görüp bilýän çeňňegimize öwrülýär (elbetde, tötänleýin çyzdym, mysal üçin amaly ähmiýeti ýok).
Bu çip ýasamagyň umumy prosesi. Gepleşigimiziň bu sanynda ýarymgeçiriji guýulýan ýerlerde iň möhüm täsir etmek, dökülme, ion implantasiýasy, peç turbalary, CVD, PVD, CMP we ş.m.
Iş wagty: Awgust-23-2024