Habarlar

Näme üçin gury eriş wagtynda gyralar egilýär?
admin tarapyndan 24-12-03
Ion bombalanmagynyň birmeňzeş bolmazlygy Gury dökülme, adatça fiziki we himiki täsirleri birleşdirýän prosesdir, onda ion bombalanmagy möhüm fiziki usuldyr. Dökmek prosesinde hadysanyň burçy we ionlaryň energiýa paýlanyşy deň däl bolup biler. Ion çişýän bolsa ...
Dowamyny oka
Üç sany umumy CVD tehnologiýasy bilen tanyşlyk
admin tarapyndan 24-12-03
Himiki bug çöketligi (CVD) ýarymgeçiriji pudagynda dürli izolýasiýa materiallaryny, köp metal materiallary we metal garyndy materiallaryny öz içine alýan dürli materiallary goýmak üçin iň köp ulanylýan tehnologiýa. CVD adaty inçe film taýýarlamak tehnologiýasydyr. Onuň prinsipi ...
Dowamyny oka
Almaz beýleki ýokary güýçli ýarymgeçiriji enjamlary çalşyp bilermi?
administrator tarapyndan 24-11-25-de
Döwrebap elektron enjamlarynyň özeni hökmünde ýarymgeçiriji materiallar görlüp-eşidilmedik üýtgeşmeleri başdan geçirýär. Häzirki wagtda göwher, ajaýyp elektrik we ýylylyk aýratynlyklary we aşa ýokary şertlerde durnuklylygy bilen dördünji nesil ýarymgeçiriji material hökmünde ägirt uly mümkinçiliklerini kem-kemden görkezýär ...
Dowamyny oka
CMP-ni meýilleşdirmek mehanizmi näme?
administrator tarapyndan 24-11-25-de
“Dual-Damascene” integral zynjyrlarda metal özara baglanyşyklary öndürmek üçin ulanylýan proses tehnologiýasydyr. Bu Damask etabynyň mundan beýläkki ösüşidir. Deşikleriň we deşikleriň şol bir wagtyň özünde şol bir ädimde emele gelip, olary metal bilen doldurmak bilen, toplumlaýyn önümçilik ...
Dowamyny oka
TaC örtükli grafit
administrator tarapyndan 24-11-21
I. Amal parametrlerini gözlemek 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar ulgamy 2. Depolýasiýa temperaturasy: Termodinamiki formula görä, temperatura 1273K-dan ýokary bolanda, Gibbsiň erkin reaksiýasy gaty pes we reaksiýa birneme doly. Rea ...
Dowamyny oka
Silikon karbid kristal ösüş prosesi we enjam tehnologiýasy
administrator tarapyndan 24-11-21
1. SiC kristal ösüş tehnologiýasy ugry PVT (sublimasiýa usuly), HTCVD (ýokary temperatura CVD), LPE (suwuk faza usuly) üç sany umumy SiC kristal ösüş usulydyr; Senagatda iň ykrar edilen usul PVT usulydyr we SiC ýeke kristallarynyň 95% -den gowragy PVT tarapyndan ösdürilýär ...
Dowamyny oka
Gözenekli kremniy uglerod kompozit materiallaryny taýýarlamak we öndürijiligi gowulandyrmak
administrator tarapyndan 24-11-13
Lityum-ion batareýalary esasan ýokary energiýa dykyzlygy ugrunda ösýär. Otag otagynyň temperaturasynda, belli bir kuwwaty 3572 mAh / g çenli bolan, teoriýadan has ýokary bolan litiý baý önüm Li3.75Si fazasyny öndürmek üçin litiý bilen kremniý esasly negatiw elektrod materiallary garyndysy ...
Dowamyny oka
Cryeke kristal kremniniň ýylylyk okislenmesi
administrator tarapyndan 24-11-13
Silikonyň üstünde kremniniň dioksidiniň emele gelmegine okislenme diýilýär we durnukly we berk ýapyşýan kremniniň dioksidiniň döredilmegi kremniniň integral zynjyr meýilnama tehnologiýasynyň döremegine sebäp boldy. Silikonyň üstünde göni kremniniň dioksidini ösdürmegiň köp usuly bar ...
Dowamyny oka
“Fan-Out Wafer-Level Packaging” üçin UV gaýtadan işlemek
administrator tarapyndan 24-11-05
Fan out wafer derejeli gaplama (FOWLP) ýarymgeçiriji pudagynda tygşytly usul. Thisöne bu prosesiň adaty ýaramaz täsirleri çişirilýär we çip offset bolýar. Wafer derejesiniň we panel derejesindäki janköýerleriň tehnologiýasynyň yzygiderli gowulaşmagyna garamazdan, galyp bilen baglanyşykly bu meseleler henizem ...
Dowamyny oka