Himiki bug çöketligi (CVD) möhüm inçe film çökdürmek tehnologiýasy bolup, köplenç dürli funksional filmleri we inçe gatlak materiallary taýýarlamak üçin ulanylýar we ýarymgeçiriji önümçiliginde we beýleki ugurlarda giňden ulanylýar.
1. CVD-iň iş prinsipi
CVD prosesinde, gaz prekursory (bir ýa-da birnäçe gazly prekursor birleşmeleri) substratyň üstü bilen kontakt edilýär we belli bir temperaturada gyzdyrylýar, himiki reaksiýa döredýär we islenýän film ýa-da örtük emele getirýär. gatlak. Bu himiki reaksiýanyň önümi gaty, adatça islenýän materialyň birleşmesidir. Silikony bir ýüzüne ýapmak islesek, trihlorosilany (SiHCl3) deslapky gaz hökmünde ulanyp bileris: SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl Silikon islendik açyk ýere (içerki we daşarky) bagly bolar, hlor we gidroklor kislotasy gazlary bolsa otagyndan boşadylýar.
2. CVD klassifikasiýasy
Malylylyk CVD: Çökmek we substratyň üstünde goýmak üçin deslapky gazy gyzdyryp. Plazma güýçlendirilen CVD (PECVD): Reaksiýa tizligini ýokarlandyrmak we çökdürme prosesine gözegçilik etmek üçin termiki CVD-e plazma goşulýar. Metal Organiki CVD (MOCVD): Metal organiki birleşmeleri deslapky gazlar hökmünde ulanmak, metallaryň we ýarymgeçirijileriň inçe filmleri taýýarlanyp bilner we köplenç LED ýaly enjamlar öndürilende ulanylýar.
3. Arza
(1) icarymgeçiriji önümçiligi
Silisid plyonkasy: izolýasiýa gatlaklaryny, substratlary, izolýasiýa gatlaklaryny we ş.m. taýýarlamak üçin ulanylýar Nitride film: kremniý nitridi, alýumin nitridi we ş.m. taýýarlamak üçin ulanylýar, yşyklandyryjylarda, elektrik enjamlarynda we ş.m. metal film: geçiriji gatlaklary taýýarlamak üçin ulanylýar, metallaşdyrylan gatlaklar we ş.m.
(2) Tehnologiýany görkeziň
ITO filmi: Köplenç tekiz panelli displeýlerde we duýgur ekranlarda ulanylýan aç-açan geçiriji oksid filmi. Mis filmi: displeý enjamlarynyň işleýşini gowulandyrmak üçin gaplama gatlaklaryny, geçiriji çyzyklary we ş.m. taýýarlamak üçin ulanylýar.
(3) Beýleki meýdanlar
Optiki örtükler: şöhlelendiriji garşy örtükler, optiki süzgüçler we ş.m. korroziýa garşy örtük: awtoulag böleklerinde, howa giňişliginde we ş.m. ulanylýar.
4. CVD prosesiniň häsiýetnamalary
Reaksiýanyň tizligini ýokarlandyrmak üçin ýokary temperatura gurşawyny ulanyň. Adatça wakuum gurşawynda ýerine ýetirilýär. Bölümiň üstündäki hapalar boýalmazdan ozal aýrylmalydyr. Bu proses örtülen substratlarda çäklendirmeler bolup biler, ýagny temperatura çäklendirmeleri ýa-da reaktiwlik çäklendirmeleri. CVD örtügi, sapaklar, kör deşikler we içki ýüzler ýaly bölekleriň ähli ýerlerini öz içine alar. Belli bir maksatly ýerleri maskalamak ukybyny çäklendirip biler. Filmiň galyňlygy proses we maddy şertler bilen çäklenýär. Iň ýokary ýelme.
5. CVD tehnologiýasynyň artykmaçlyklary
Birmeňzeşlik: Uly meýdanyň aşaky gatlaklarynda birmeňzeş çökgünlige ýetmäge ukyply.
Dolandyryş: Depozit derejesi we film häsiýetleri deslapky gazyň akym tizligini we temperaturasyny dolandyrmak arkaly sazlanyp bilner.
Köpdürlüligi: metallar, ýarymgeçirijiler, oksidler we ş.m. ýaly dürli materiallary ýerleşdirmek üçin amatly.
Iş wagty: Maý-06-2024