SiC ýeke kristal, 1: 1 stoiometrik nisbatda Si we C atly iki elementden ybarat IV-IV toparlaýyn ýarymgeçiriji materialdyr.Gatylygy göwherden soň ikinji ýerde durýar.
SiC taýýarlamak üçin kremniniň oksid usulynyň uglerodyň azalmagy esasan aşakdaky himiki reaksiýa formulasyna esaslanýar:
Silikon oksidiniň uglerodyň azaldylmagy reaksiýa prosesi birneme çylşyrymly, onda reaksiýanyň temperaturasy soňky önüme gönüden-göni täsir edýär.
Silikon karbidi taýýarlamak işinde çig mal ilki garşylyk peçine ýerleşdirilýär.Garşylyk peçiniň iki ujundaky ahyrky diwarlardan, merkezinde grafit elektrody we peçiň ýadrosy iki elektrody birleşdirýär.Peç ýadrosynyň daş-töwereginde reaksiýa gatnaşýan çig mal ilki ýerleşdirilýär, soňra ýylylygy tygşytlamak üçin ulanylýan materiallar periferiýa ýerleşdirilýär.Eremek başlanda garşylyk peji güýçlendirilýär we temperatura 2600-den 2700 gradusa çenli ýokarlanýar.Elektrik ýylylyk energiýasy, peç ýadrosynyň üstünden zarýadlara geçirilýär we kem-kemden gyzmagyna sebäp bolýar.Zarýadyň temperaturasy 1450 gradusdan geçende, kremniniň karbidi we kömürturşy gazyny emele getirmek üçin himiki reaksiýa ýüze çykýar.Eritmek prosesi dowam edýärkä zarýaddaky ýokary temperatura meýdany kem-kemden giňeler we öndürilen kremniy karbidiň mukdary hem köpeler.Silikon karbid peçde yzygiderli emele gelýär we bugarmak we hereket etmek arkaly kristallar kem-kemden ösýär we netijede silindr kristallara ýygnanýar.
Kristalyň içki diwarynyň bir bölegi 2600 gradusdan ýokary temperatura sebäpli çüýräp başlaýar.Aýrylmagy netijesinde öndürilen kremniy elementi zarýaddaky uglerod elementi bilen birleşip, täze kremniy karbidini emele getirer.
Silikon karbidiň (SiC) himiki reaksiýasy gutarandan we peç sowadylandan soň indiki ädim başlap biler.Ilki bilen peçiň diwarlary sökülýär, soňra peçdäki çig mal saýlanýar we gatlak boýunça derejelendirilýär.Saýlanan çig mal, isleýän granular materialymyzy almak üçin ezilýär.Ondan soň, çig maldaky hapalar suwy ýuwmak ýa-da kislota we aşgar erginleri bilen arassalamak, şeýle hem magnit bölmek we beýleki usullar arkaly aýrylýar.Arassalanan çig mallary guratmaly, soň bolsa gaýtadan barlamaly we ahyrynda arassa kremniy karbid tozy alyp bolýar.Zerur bolsa, bu poroşoklar has gowy kremniy karbid tozy öndürmek üçin şekillendirmek ýa-da inçe üwemek ýaly hakyky ulanylyşyna görä gaýtadan işlenip bilner.
Stepörite ädimler aşakdakylar:
(1) Çig mal
Greenaşyl kremniy karbid mikro tozy, ýaşyl kremniy karbidini ezmek arkaly öndürilýär.Silikon karbidiň himiki düzümi 99% -den, erkin uglerod we demir oksidi 0,2% -den az bolmalydyr.
(2) döwülen
Silikon karbid çägesini inçe poroşokda döwmek üçin häzirki wagtda Hytaýda iki usul ulanylýar, biri aralyk çygly top degirmeni, beýlekisi howa akymynyň tozy degirmeni bilen ezilýär.
(3) Magnit bölünişik
Silikon karbid tozyny inçe poroşokda döwmek üçin haýsy usul ulanylsa-da, çygly magnit bölünişi we mehaniki magnit bölünişi ulanylýar.Sebäbi çygly magnit bölünişiginde tozan ýok, magnit materiallary doly bölünýär, magnit bölünenden soň önümde az demir bar, magnit materiallary tarapyndan alnan kremniy karbid tozy hem az bolýar.
(4) Suwuň bölünişi
Suwy bölmek usulynyň esasy ýörelgesi, bölejikleriň ululygyny tertipleşdirmek üçin suwda dürli diametrli kremniy karbid bölejikleriniň dürli ýerleşiş tizligini ulanmakdyr.
(5) Ultrases barlagy
Ultrases tehnologiýasynyň ösmegi bilen, güýçli adsorbsiýa, aňsat aglomerasiýa, ýokary statiki elektrik, ýokary nepislik, ýokary dykyzlyk we ýeňil agyrlyk güýji ýaly barlag meselelerini esasan çözüp bilýän mikro-poroşok tehnologiýasynyň ultrases barlagynda giňden ulanyldy. .
(6) Hil barlagy
Mikropradyň hilini barlamak himiki düzümi, bölejikleriň ululygynyň düzümini we beýleki zatlary öz içine alýar.Barlag usullary we hil ülňüleri üçin “Silikon Karbidiň tehniki şertlerine” serediň.
(7) Tozan öndürmek
Mikro poroşok toparlanandan we barlagdan geçirilenden soň, material kellesi üweýji poroşok taýýarlamak üçin ulanylyp bilner.Öýjükli tozanyň öndürilmegi galyndylary azaldyp, önüm zynjyryny uzaldyp biler.
Iş wagty: 13-2024-nji maý