Silikon karbid (SiC) täze birleşýän ýarymgeçiriji materialdyr. Silikon karbidiň uly zolakly boşlugy (takmynan 3 esse kremniý), ýokary kritiki meýdan güýji (takmynan 10 esse kremniý), ýokary ýylylyk geçirijiligi (takmynan 3 esse kremniý) bar. Geljekki nesil ýarymgeçiriji möhüm materialdyr. SiC örtükleri ýarymgeçiriji pudagynda we gün fotoelektriklerinde giňden ulanylýar. Hususan-da, yşyk-diodly indikatorlaryň ösmeginde ulanylýan duýgurlar we Si ýeke kristal epitaksiýa SiC örtüginiň ulanylmagyny talap edýär. Yşyklandyryş we displeý pudagynda yşyk-diodly indikatorlaryň güýçli ýokary göterilmegi we ýarymgeçiriji pudagynyň güýçli ösüşi sebäpli,SiC örtük önümigeljegi gaty gowy.
GÖRNÜŞ SÖ .GI
Arassalygy, SEM gurluşy, galyňlygynyň derňewiSiC örtük
CVD ulanyp, grafitdäki SiC örtükleriniň arassalygy 99,9995% -e deňdir. Gurluşy fcc. Grafit bilen örtülen SiC filmleri, ýokary kristal hilini görkezýän XRD maglumatlarynda (1-nji surat) görkezilişi ýaly (111) gönükdirilen. SiC filminiň galyňlygy 2-nji suratda görkezilişi ýaly gaty birmeňzeş.
2-nji surat: SiC filmleriniň galyňlygy formasy SEM we grafitdäki beta - SiC filminiň XRD
CVD SiC inçe filminiň SEM maglumatlary, kristal ululygy 2 ~ 1 Opm
CVD SiC filminiň kristal gurluşy ýüz merkezi kub gurluşdyr we filmiň ösüş ugry 100% -e ýakyn.
Silikon karbid (SiC) örtülendiresas epitaks peçiniň esasy bölegi bolan ýeke kristal kremniý we GaN epitaksi üçin iň oňat esasdyr. Esasy integral zynjyrlar üçin monokristally kremniniň esasy önümçilik garniturasydyr. Highokary arassalygy, ýokary temperatura garşylygy, poslama garşylygy, howanyň berkligi we beýleki ajaýyp material aýratynlyklary bar.
Önümiň ulanylyşy we ulanylyşy
Singleeke kristal kremniniň epitaksial ösmegi üçin grafit esasy örtük, “Aixtron” maşynlary we ş.m.Gaplamak galyňlygy: 90 ~ 150umGüýç krateriniň diametri 55mm.
Iş wagty: Mart-14-2022