Hytaý öndürijisi SiC örtükli grafit MOCVD epitaksiýa şübheli

Hytaý öndürijisi SiC örtülen grafit MOCVD epitaksiýa duýgur aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Arassalygy <5ppm
Op Gowy doping birmeňzeşligi
Density Dokary dykyzlyk we ýelme
Korroziýa garşy we uglerodyň gowy garşylygy

Ional Professional özleşdirme
Lead Gurşuň gysga wagty
Able Durnukly üpjünçilik
‣ Hil gözegçiligi we yzygiderli gowulaşmak

GaN-iň sapfirdäki epitaksiýasy(RGB / Mini / Micro LED);
Si Substratda GaN epitaksiýasy(UVC);
Si Substratda GaN epitaksiýasy(Elektron enjam);
Si substratynda Si epitaksiýasy(Toplumlaýyn zynjyr);
SiC substratynda SiC epitaksiýasy(Substrat);
InP-de epitaksi

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Qualityokary hilli MOCVD Susceptor Hytaýda onlaýn satyn alyň

Wafli elektron enjamlarda ulanmaga taýyn bolmanka birnäçe ädimden geçmeli. Möhüm prosesleriň biri, kremniý epitaksidir, onda wafli grafit duýgurlarynda amala aşyrylýar. Duýgurlaryň häsiýetleri we hili wafli epitaksial gatlagynyň hiline möhüm täsir edýär.

Epitaksi ýa-da MOCVD ýaly inçe film depozit fazalary üçin, VET substratlary ýa-da "wafli" goldamak üçin ulanylýan ultra-arassa grafit enjamlaryny üpjün edýär. Amalyň özeninde bu enjam, epitaksiýa duýgurlary ýa-da MOCVD üçin emeli hemra platformalary ilki bilen çöketlik gurşawyna sezewar edilýär:

Temperatureokary temperatura.
Vokary vakuum.
Agressiw gaz prekursorlaryny ulanmak.
Hapalanmak, gabygyň ýoklugy.
Arassalaýyş işleri wagtynda güýçli kislotalara garşylyk

VET Energy ýarymgeçiriji we fotoelektrik senagaty üçin örtükli ýöriteleşdirilen grafit we kremniy karbid önümleriniň hakyky öndürijisidir. Tehniki toparymyz içerki gözleg institutlaryndan gelýär, size has professional material çözgütleri berip biler.

Has ösen materiallar bilen üpjün etmek üçin öňdebaryjy prosesleri yzygiderli ösdürýäris we örtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berkitip, aýrylmaga has ýykgyn edip biljek aýratyn patentlenen tehnologiýany taýýarladyk.

Önümlerimiziň aýratynlyklary:

1. 1700 up çenli ýokary temperatura okislenme garşylygy.
2. purokary arassalyk we ýylylyk birmeňzeşligi
3. Ajaýyp poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
4. hardokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
5. Uzak hyzmat möhleti we has çydamly

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük
性质 / Emläk	典型数值 / Adaty baha
晶体结构 / Kristal gurluş	FCC β tapgyry多晶，主要为（111 ）取向
密度 / Dykyzlygy	3.21 g / sm³
硬度 / Gatylyk	2500 维氏硬度（ 500g ýük）
晶粒大小 / Galla SiZe	2 ~ 10μm
纯度 / Himiki arassalygy	99.99995%
热容 / Atylylyk kuwwaty	640 J · kg^-1· K.^-1
升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy	2700 ℃
抗弯强度 / Fleksural güýç	415 MPa RT 4 bal
杨氏模量 / 'Aş modul	430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃
导热系数 / TermalGeçirijilik	300W · m^-1· K.^-1
热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1