Ajaýyp dolandyryşymyz, güýçli tehniki ukyplarymyz we berk ajaýyp prosedura bilen müşderilerimize abraýly ýokary hilli, amatly satuw bahalary we ajaýyp üpjün edijiler bilen üpjün etmegi dowam etdirýäris. Iň ynamdar hyzmatdaşlaryňyzyň hataryna girmegi we gowy lomaý satyjylar Hytaýyň abraziw polishing we çägeli kremniý karbid Nano üçin kanagatlanmagy gazanmagy maksat edinýärisSicGowy ýylylyk geçirijiligi bilen, Esasy maksadymyz elmydama iň ýokary marka bolmak we öz ugrumyzda öňdebaryjy bolmak. Gural döretmekdäki öndürijilik tejribämiziň müşderiniň ynamyny aljakdygyna ynanýarys, hyzmatdaşlygy we has gowy uzak möhletli hyzmatdaşlygy arzuw edýäris!
Ajaýyp dolandyryşymyz, güýçli tehniki ukyplarymyz we berk ajaýyp prosedura bilen müşderilerimize abraýly ýokary hilli, amatly satuw bahalary we ajaýyp üpjün edijiler bilen üpjün etmegi dowam etdirýäris. Iň ynamdar hyzmatdaşlaryňyzyň hataryna girmegi we kanagatlanmagy gazanmagy maksat edinýärisHytaý Silikon Karbid, Sic, Biziň maksadymyz “ilkinji ädim önümlerini we çözgütlerini we müşderilerimiz üçin iň gowy hyzmaty üpjün etmek, şeýlelik bilen biziň bilen hyzmatdaşlyk etmek arkaly size az girdeji gazanjakdygyňyza ynanýarys”. Haýsydyr bir önümimiz bilen gyzyklanýan bolsaňyz ýa-da adaty sargyt barada pikir alyşmak isleseňiz, biziň bilen habarlaşyp bilersiňiz. Nearakyn geljekde dünýäniň täze müşderileri bilen üstünlikli işewür gatnaşyklar gurmaga sabyrsyzlyk bilen garaşýarys.
Önümiň beýany
Kompaniýamyz, grafitiň, keramikanyň we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen SiC örtük hyzmatlaryny hödürleýär, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir eder, SIK gorag gatlagyny emele getirýär.
Esasy aýratynlyklary:
1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:
oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.
2. Highokary arassalygy: ýokary temperaturaly hlorlaşma şertinde himiki buglaryň çökmegi bilen öndürilýär.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary
SiC-CVD häsiýetleri | ||
Kristal gurluş | FCC β tapgyry | |
Dykyzlygy | g / sm ³ | 3.21 |
Gatylyk | Wikers gatylygy | 2500 |
Galla ölçegi | μm | 2 ~ 10 |
Himiki arassalyk | % | 99.99995 |
Atylylyk kuwwaty | J · kg-1 · K-1 | 640 |
Sublimasiýa temperaturasy | ℃ | 2700 |
Felexural güýç | MPa (RT 4 bal) | 415 |
Youngaş modul | Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃) | 430 |
Malylylyk giňelişi (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Malylylyk geçirijiligi | (W / mK) | 300 |