4 Inç GaAs Wafer

“VET Energy” -den 4 Inch GaAs Wafer, ýokary tizlikli we optoelektron enjamlary, şol sanda RF güýçlendirijileri, yşyklandyryjylar we gün öýjükleri üçin möhüm materialdyr. Bu wafli ýokary elektron hereketliligi we has ýokary ýygylyklarda işlemek ukyby bilen meşhur ýarymgeçiriji programmalarynda esasy komponente öwrülýär. VET Energy, birmeňzeş galyňlygy we iň az kemçilikleri bolan ýokary hilli GaAs wafli, birnäçe talap edilýän ýasama amallary üçin amatly.

Bu 4 Inch GaAs Wafers, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer we SiN Substrate ýaly dürli ýarymgeçiriji materiallar bilen gabat gelýär we olary dürli enjam arhitekturasyna integrasiýa üçin köp taraply edýär. “Epi Wafer” önümçiliginde bolsun ýa-da “Gallium Oxide Ga2O3” we “AlN Wafer” ýaly iň täze materiallar bilen bir hatarda, indiki nesil elektronikasy üçin ygtybarly esas hödürleýär. Mundan başga-da, wafli kasseta esasly işleýiş ulgamlary bilen doly utgaşyp, gözlegde we ýokary göwrümli önümçilik şertlerinde amatly işlemegi üpjün edýär.

VET Energy, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 we AlN Wafer ýaly ýarymgeçiriji substratlaryň giňişleýin bukjasyny hödürleýär. Dürli önüm liniýamyz, elektronikadan başlap, RF we optoelektronika çenli dürli elektroniki programmalaryň isleglerini kanagatlandyrýar.

VET Energy, dürli doping derejelerini, ugurlaryny we üstki bezeglerini goşmak bilen, aýratyn talaplaryňyza laýyk gelýän GaAs wafli hödürleýär. Bilermenler toparymyz, üstünlikleriňizi üpjün etmek üçin tehniki goldaw we satuwdan soň hyzmat edýär.