SiC Coating / Substrate Graphite Coated / Табақ барои нимноқил

SiC Coating / Substrate Graphite Coated / Табақ барои тасвири тавсифшудаи нимноқил

Тавсифи кӯтоҳ:

Susceptor Graphite Coated VET Energy SiC барои афзоиши эпитаксиалӣ як маҳсулоти баландмаъноест, ки барои таъмини иҷрои пайваста ва боэътимод дар тӯли муддати тӯлонӣ пешбинӣ шудааст.Он дорои муқовимати хеле хуби гармӣ ва якрангии гармӣ, покии баланд, муқовимат ба эрозия мебошад, ки онро барои ҳалли беҳтарин барои коркарди вафель табдил медиҳад.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Сарпӯши SiC/қаппӯши ҳассосияти Графит барои нимноқил

Susceptor Graphite Coated SiC як ҷузъи калидӣ мебошад, ки дар равандҳои гуногуни истеҳсоли нимноқилҳо истифода мешавад.Мо аз технологияи патентии худ истифода мебарем, то интиқолдиҳандаи карбиди кремнийро бо тозагии ниҳоят баланд, якрангии хуби пӯшиш ва мӯҳлати хидматрасонии аъло, инчунин муқовимати баланди кимиёвӣ ва хосиятҳои устувории гармӣ созем.

Вижагиҳо:
· Муқовимати аълои зарбаи гармӣ
· Муқовимати аъло ба зарбаи ҷисмонӣ
· Муқовимати аъло ба химиявӣ
· Тозагии олӣ
· Мавҷудият дар шакли мураккаб
· Дар зери атмосфераи оксидшаванда истифода мешавад

Ариза:

Хусусиятҳои хоси маводи графити асосӣ:

Зичии намоён:	1,85 г/см3
Муқовимати барқ:	11 мкм
Қувваи флексия:	49 МПа (500кгф/см2)
Сахтии соҳил:	58
Аш:	<5 саҳ.м
Қобилияти гармидиҳӣ:	116 Вт/мК (100 ккал/м соат-℃)

CVD SiC薄膜基本物理性能 Хусусиятҳои асосии физикии CVD SiCпӯшиш
性质 / Амвол	典型数值 / Арзиши маъмулӣ
晶体结构 / Сохтори Кристалл	Марҳилаи FCC 多晶，主要为（111）取向
密度 / Зичӣ	3,21 г/см³
硬度 / Сахтӣ	2500 维氏硬度（500г бор）
晶粒大小 / Grain SiZe	2 ~ 10 мкм
纯度 / Тозагии кимиёвӣ	99.99995%
热容 / Иқтидори гармӣ	640 Йкг^-1· К^-1
升华温度 / Ҳарорати сублиматсия	2700℃
抗弯强度 / Қувваи Flexural	415 МПа ҶТ 4-нуқта
杨氏模量 / Модули ҷавон	430 Gpa 4pt хам, 1300 ℃
导热系数 / Гармигузаронӣ	300Вт·м^-1· К^-1
热膨胀系数 / Тавсеаи гармидиҳӣ(CTE)	4,5×10^-6K^-1

VET Energy истеҳсолкунандаи воқеии маҳсулоти фармоишии графит ва карбиди кремний бо пӯшишҳои гуногун ба монанди молидани SiC, молидани TaC, рӯйпӯши карбонҳои шишагӣ, қабати пиролитикии карбон ва ғайра мебошад, ки метавонад қисмҳои гуногуни фармоиширо барои саноати нимноқилҳо ва фотоэлектрикҳо таъмин намояд.

Гурӯҳи техникии мо аз муассисаҳои олии тадқиқотии ватанӣ меояд, метавонад барои шумо ҳалли бештари моддиро пешниҳод кунад.

Мо пайваста равандҳои пешрафтаро барои таъмини маводҳои пешрафта таҳия мекунем ва технологияи истисноии патентиро кор карда баромадем, ки метавонад пайванди байни рӯйпӯш ва субстратро сахттар ва ба ҷудошавӣ камтар моил кунад.

Шуморо самимона истиқбол мегиред, ки ба заводи мо ташриф оред, биёед минбаъд муҳокима кунем!