Ҳасбкунандаи графит бо SiC як ҷузъи калидӣ мебошад, ки дар равандҳои гуногуни истеҳсоли нимноқилҳо истифода мешавад. мо технологияи патентии худро барои сохтани ҳассосият бо тозагии хеле баланд, якрангии хуби пӯшиш ва мӯҳлати хизмати аъло, инчунин муқовимати баланди кимиёвӣ ва хосиятҳои устувории гармӣ истифода мебарем.
Хусусиятҳои маҳсулоти мо:
1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд то 1700 ℃.
2. тозагии баланд ва якрангии гармӣ
3. Муқовимат ба зангзании аъло: кислота, сілтӣ, намак ва реагентҳои органикӣ.
4. Сахтии баланд, сатҳи паймон, зарраҳои хуб.
5. Муддати хизмати дарозтар ва пойдору бештар
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Хусусиятҳои асосии физикии CVD SiCпӯшиш | |
| 性质 / Амвол | 典型数值 / Арзиши маъмулӣ |
| 晶体结构 / Сохтори Кристалл | Марҳилаи β FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Зичии | 3,21 г/см³ |
| 硬度 / Сахтӣ | 2500 维氏硬度（500г бор） |
| 晶粒大小 / Андозаи гандум | 2 ~ 10 мкм |
| 纯度 / Тозагии кимиёвӣ | 99.99995% |
| 热容 / Иқтидори гармӣ | 640 Йкг-1· К-1 |
| 升华温度 / Ҳарорати сублиматсия | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Қувваи флексия | 415 МПа ҶТ 4-нуқта |
| 杨氏模量 / Модули ҷавон | 430 Gpa 4pt хам, 1300 ℃ |
| 导热系数 / Термалгузаронанда | 300Вт·м-1· К-1 |
| 热膨胀系数 / Тавсеаи гармидиҳӣ (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy истеҳсолкунандаи воқеии маҳсулоти фармоишии графит ва карбиди кремний бо пӯшишҳои гуногун ба монанди молидани SiC, молидани TaC, рӯйпӯши карбонҳои шишагӣ, қабати пиролитикии карбон ва ғайра мебошад, ки метавонад қисмҳои гуногуни фармоиширо барои саноати нимноқилҳо ва фотоэлектрикҳо таъмин намояд.
Гурӯҳи техникии мо аз муассисаҳои олии тадқиқотии ватанӣ меояд, метавонад барои шумо ҳалли бештари моддиро пешниҳод кунад.
Мо пайваста равандҳои пешрафтаро барои таъмини маводҳои пешрафта таҳия мекунем ва технологияи истисноии патентиро кор карда баромадем, ки метавонад пайванди байни рӯйпӯш ва субстратро сахттар ва ба ҷудошавӣ камтар моил кунад.
Шуморо самимона истиқбол мегиред, ки ба заводи мо ташриф оред, биёед минбаъд муҳокима кунем!
