రీక్రిస్టలైజ్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ యొక్క లక్షణాలు
రీక్రిస్టలైజ్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ (R-SiC) అనేది 2000℃ కంటే ఎక్కువ ఉష్ణోగ్రత వద్ద ఏర్పడిన వజ్రం తర్వాత కాఠిన్యం కలిగిన అధిక-పనితీరు గల పదార్థం. ఇది అధిక ఉష్ణోగ్రత బలం, బలమైన తుప్పు నిరోధకత, అద్భుతమైన ఆక్సీకరణ నిరోధకత, మంచి థర్మల్ షాక్ రెసిస్టెన్స్ మరియు మొదలైనవి వంటి SiC యొక్క అనేక అద్భుతమైన లక్షణాలను కలిగి ఉంది.
● అద్భుతమైన యాంత్రిక లక్షణాలు. రీక్రిస్టలైజ్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ కార్బన్ ఫైబర్ కంటే ఎక్కువ బలం మరియు దృఢత్వాన్ని కలిగి ఉంటుంది, అధిక ప్రభావ నిరోధకత, తీవ్ర ఉష్ణోగ్రత పరిసరాలలో మంచి పనితీరును ప్రదర్శించగలదు, వివిధ పరిస్థితులలో మెరుగైన కౌంటర్ బ్యాలెన్స్ పనితీరును ప్లే చేయగలదు. అదనంగా, ఇది మంచి వశ్యతను కలిగి ఉంటుంది మరియు సాగదీయడం మరియు వంగడం ద్వారా సులభంగా దెబ్బతినదు, ఇది దాని పనితీరును బాగా మెరుగుపరుస్తుంది.
● అధిక తుప్పు నిరోధకత. రీక్రిస్టలైజ్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ వివిధ రకాల మీడియాలకు అధిక తుప్పు నిరోధకతను కలిగి ఉంటుంది, వివిధ రకాల తినివేయు మీడియా యొక్క కోతను నిరోధించగలదు, దాని యాంత్రిక లక్షణాలను చాలా కాలం పాటు నిర్వహించగలదు, బలమైన సంశ్లేషణను కలిగి ఉంటుంది, తద్వారా ఇది సుదీర్ఘ సేవా జీవితాన్ని కలిగి ఉంటుంది. అదనంగా, ఇది మంచి ఉష్ణ స్థిరత్వాన్ని కూడా కలిగి ఉంటుంది, నిర్దిష్ట ఉష్ణోగ్రత మార్పులకు అనుగుణంగా, దాని అప్లికేషన్ ప్రభావాన్ని మెరుగుపరుస్తుంది.
● సింటరింగ్ కుంచించుకుపోదు. సింటరింగ్ ప్రక్రియ కుంచించుకుపోనందున, ఎటువంటి అవశేష ఒత్తిడి ఉత్పత్తి యొక్క రూపాంతరం లేదా పగుళ్లను కలిగించదు మరియు సంక్లిష్టమైన ఆకారాలు మరియు అధిక ఖచ్చితత్వంతో భాగాలను తయారు చేయవచ్చు.
| 重结晶碳化硅物理特性 రీక్రిస్టలైజ్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ యొక్క భౌతిక లక్షణాలు | |
| 性质 / ఆస్తి | 典型数值 / సాధారణ విలువ |
| 使用温度/ పని ఉష్ణోగ్రత (°C) | 1600°C (ఆక్సిజన్‌తో), 1700°C (పర్యావరణాన్ని తగ్గించడం) |
| SiC含量/ SiC కంటెంట్ | > 99.96% |
| 自由Si含量/ ఉచిత Si కంటెంట్ | < 0.1% |
| 体积密度/బల్క్ డెన్సిటీ | 2.60-2.70 గ్రా/సెం3 |
| 气孔率/ స్పష్టమైన సచ్ఛిద్రత | < 16% |
| 抗压强度/ కుదింపు బలం | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/కోల్డ్ బెండింగ్ బలం | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度హాట్ బెండింగ్ బలం | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ థర్మల్ విస్తరణ @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/ఉష్ణ వాహకత @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ సాగే మాడ్యులస్ | 240 GPa |
| 抗热震性/ థర్మల్ షాక్ నిరోధకత | చాలా బాగుంది |
VET శక్తి ఉంది దిCVD పూతతో అనుకూలీకరించిన గ్రాఫైట్ మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ ఉత్పత్తుల యొక్క నిజమైన తయారీదారు,సరఫరా చేయవచ్చువివిధసెమీకండక్టర్ మరియు ఫోటోవోల్టాయిక్ పరిశ్రమ కోసం అనుకూలీకరించిన భాగాలు. Oమీ సాంకేతిక బృందం అగ్ర దేశీయ పరిశోధనా సంస్థల నుండి వచ్చింది, మరింత ప్రొఫెషనల్ మెటీరియల్ పరిష్కారాలను అందించగలదుమీ కోసం.
మేము మరింత అధునాతన పదార్థాలను అందించడానికి అధునాతన ప్రక్రియలను నిరంతరం అభివృద్ధి చేస్తాము,మరియుప్రత్యేకమైన పేటెంట్ టెక్నాలజీని రూపొందించారు, ఇది పూత మరియు ఉపరితల మధ్య బంధాన్ని మరింత గట్టిగా మరియు నిర్లిప్తతకు తక్కువ అవకాశంగా చేస్తుంది.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక లక్షణాలుపూత | |
| 性质 / ఆస్తి | 典型数值 / సాధారణ విలువ |
| 晶体结构 / క్రిస్టల్ నిర్మాణం | FCC β దశ多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / సాంద్రత | 3.21 గ్రా/సెం³ |
| 硬度 / కాఠిన్యం | 2500 维氏硬度 (500g లోడ్) |
| 晶粒大小 / ధాన్యం పరిమాణం | 2~10μm |
| 纯度 / రసాయన స్వచ్ఛత | 99.99995% |
| 热容 / హీట్ కెపాసిటీ | 640 J·kg-1·కె-1 |
| 升华温度 / సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత | 2700℃ |
| 抗弯强度 / ఫ్లెక్సురల్ స్ట్రెంత్ | 415 MPa RT 4-పాయింట్ |
| 杨氏模量 / యంగ్స్ మాడ్యులస్ | 430 Gpa 4pt బెండ్, 1300℃ |
| 导热系数 / థర్మాఎల్వాహకత | 300W·m-1·కె-1 |
| 热膨胀系数 / థర్మల్ విస్తరణ(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
మా ఫ్యాక్టరీని సందర్శించడానికి మిమ్మల్ని హృదయపూర్వకంగా స్వాగతించండి, మరింత చర్చిద్దాం!
