CVD-SiCபூச்சு சீரான அமைப்பு, கச்சிதமான பொருள், உயர் வெப்பநிலை எதிர்ப்பு, ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு, அதிக தூய்மை, அமிலம் மற்றும் கார எதிர்ப்பு மற்றும் கரிம மறுஉருவாக்கம், நிலையான உடல் மற்றும் இரசாயன பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது.

உயர்-தூய்மை கிராஃபைட் பொருட்களுடன் ஒப்பிடும்போது, ​​கிராஃபைட் 400C இல் ஆக்சிஜனேற்றம் செய்யத் தொடங்குகிறது, இது ஆக்சிஜனேற்றம் காரணமாக தூள் இழப்பை ஏற்படுத்தும், இதன் விளைவாக புற சாதனங்கள் மற்றும் வெற்றிட அறைகளுக்கு சுற்றுச்சூழல் மாசு ஏற்படுகிறது மற்றும் உயர் தூய்மையான சூழலின் அசுத்தங்களை அதிகரிக்கிறது.

இருப்பினும், SiC பூச்சு 1600 டிகிரியில் உடல் மற்றும் இரசாயன நிலைத்தன்மையை பராமரிக்க முடியும், இது நவீன தொழில்துறையில், குறிப்பாக குறைக்கடத்தி துறையில் பரவலாக பயன்படுத்தப்படுகிறது.

எங்கள் நிறுவனம் கிராஃபைட், மட்பாண்டங்கள் மற்றும் பிற பொருட்களின் மேற்பரப்பில் CVD முறையில் SiC பூச்சு செயல்முறை சேவைகளை வழங்குகிறது, இதனால் கார்பன் மற்றும் சிலிக்கான் கொண்ட சிறப்பு வாயுக்கள் அதிக வெப்பநிலையில் வினைபுரிந்து அதிக தூய்மையான SiC மூலக்கூறுகள், பூசப்பட்ட பொருட்களின் மேற்பரப்பில் டெபாசிட் செய்யப்பட்ட மூலக்கூறுகள், SIC பாதுகாப்பு அடுக்கை உருவாக்குகிறது.உருவாக்கப்பட்ட SIC ஆனது கிராஃபைட் தளத்துடன் உறுதியாகப் பிணைக்கப்பட்டு, கிராஃபைட் தளத்திற்கு சிறப்பு பண்புகளை அளிக்கிறது, இதனால் கிராஃபைட்டின் மேற்பரப்பை கச்சிதமான, போரோசிட்டி இல்லாத, உயர் வெப்பநிலை எதிர்ப்பு, அரிப்பு எதிர்ப்பு மற்றும் ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு ஆகியவற்றை உருவாக்குகிறது.

முக்கிய அம்சங்கள்:

1. அதிக வெப்பநிலை ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு:

வெப்பநிலை 1600 C ஆக இருக்கும்போது ஆக்ஸிஜனேற்ற எதிர்ப்பு இன்னும் நன்றாக இருக்கும்.

2. உயர் தூய்மை: அதிக வெப்பநிலை குளோரினேஷன் நிலையில் இரசாயன நீராவி படிவு மூலம் செய்யப்படுகிறது.

3. அரிப்பு எதிர்ப்பு: அதிக கடினத்தன்மை, கச்சிதமான மேற்பரப்பு, நுண்ணிய துகள்கள்.

4. அரிப்பு எதிர்ப்பு: அமிலம், காரம், உப்பு மற்றும் கரிம எதிர்வினைகள்.

CVD-SIC பூச்சுகளின் முக்கிய விவரக்குறிப்புகள்: