ஐசி சிங்கிள்-கிரிஸ்டல் சிலிக்கான் எபிடாக்ஸி

சுருக்கமான விளக்கம்:


  • பிறப்பிடம்:சீனா
  • படிக அமைப்பு:FCCβ கட்டம்
  • அடர்த்தி:3.21 g/cm;
  • கடினத்தன்மை:2500 விக்கர்ஸ்;
  • தானிய அளவு:2~10μm;
  • இரசாயன தூய்மை:99.99995%;
  • வெப்ப திறன்:640J·kg-1·K-1;
  • பதங்கமாதல் வெப்பநிலை:2700℃;
  • உணர்ச்சி வலிமை:415 Mpa (RT 4-புள்ளி);
  • யங்ஸ் மாடுலஸ்:430 Gpa (4pt வளைவு, 1300℃);
  • வெப்ப விரிவாக்கம் (CTE):4.5 10-6K-1;
  • வெப்ப கடத்துத்திறன்:300 (W/MK);
  • தயாரிப்பு விவரம்

    தயாரிப்பு குறிச்சொற்கள்

    தயாரிப்பு விளக்கம்

    எங்கள் நிறுவனம் கிராஃபைட், மட்பாண்டங்கள் மற்றும் பிற பொருட்களின் மேற்பரப்பில் CVD முறையில் SiC பூச்சு செயல்முறை சேவைகளை வழங்குகிறது, இதனால் கார்பன் மற்றும் சிலிக்கான் கொண்ட சிறப்பு வாயுக்கள் அதிக வெப்பநிலையில் வினைபுரிந்து அதிக தூய்மையான SiC மூலக்கூறுகள், பூசப்பட்ட பொருட்களின் மேற்பரப்பில் டெபாசிட் செய்யப்பட்ட மூலக்கூறுகள், SIC பாதுகாப்பு அடுக்கை உருவாக்குகிறது.

    முக்கிய அம்சங்கள்:

    1. அதிக வெப்பநிலை ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு:

    வெப்பநிலை 1600 C ஆக இருக்கும்போது ஆக்ஸிஜனேற்ற எதிர்ப்பு இன்னும் நன்றாக இருக்கும்.

    2. உயர் தூய்மை : அதிக வெப்பநிலை குளோரினேஷன் நிலையில் இரசாயன நீராவி படிவு மூலம் செய்யப்படுகிறது.

    3. அரிப்பு எதிர்ப்பு: அதிக கடினத்தன்மை, கச்சிதமான மேற்பரப்பு, நுண்ணிய துகள்கள்.

    4. அரிப்பு எதிர்ப்பு: அமிலம், காரம், உப்பு மற்றும் கரிம எதிர்வினைகள்.

    CVD-SIC பூச்சுகளின் முக்கிய விவரக்குறிப்புகள்

    SiC-CVD பண்புகள்

    படிக அமைப்பு FCC β கட்டம்
    அடர்த்தி g/cm ³ 3.21
    கடினத்தன்மை விக்கர்ஸ் கடினத்தன்மை 2500
    தானிய அளவு μm 2~10
    இரசாயன தூய்மை % 99.99995
    வெப்ப திறன் J·kg-1 ·K-1 640
    பதங்கமாதல் வெப்பநிலை 2700
    Felexural வலிமை MPa (RT 4-புள்ளி) 415
    யங்ஸ் மாடுலஸ் Gpa (4pt வளைவு, 1300℃) 430
    வெப்ப விரிவாக்கம் (CTE) 10-6K-1 4.5
    வெப்ப கடத்துத்திறன் (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • முந்தைய:
  • அடுத்து:

  • வாட்ஸ்அப் ஆன்லைன் அரட்டை!