Mipako ya SiC iliyopakwa kwa sehemu ndogo ya Graphite kwa Semiconductor, Silicon carbide mipako, MOCVD Susceptor

Upakaji wa SiC uliopakwa kwa sehemu ndogo ya Graphite kwa Semiconductor,mipako ya silicon carbide,Kiasi cha MOCVD Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Mipako ya SiC ya substrate ya Graphite kwa matumizi ya Semiconductor hutoa sehemu yenye usafi wa hali ya juu na upinzani dhidi ya angahewa ya vioksidishaji. CVD SiC au CVI SiC inatumika kwa Graphite ya sehemu rahisi au ngumu za muundo. Mipako inaweza kutumika kwa unene tofauti na kwa sehemu kubwa sana.

Mahali pa asili:Zhejiang, Uchina (Bara)

Nambari ya Mfano:Nambari ya Mfano:

Muundo wa Kemikali:Grafiti iliyofunikwa na SiC

Nguvu ya Flexural:470Mpa

Uendeshaji wa joto:300 W/mK

Ubora:Kamilifu

Kazi:CVD-SiC

Maombi:Semiconductor / Photovoltaic

Msongamano:3.21 g/cc

Upanuzi wa joto:4 10-6/K

Majivu: <5 ppm

Sampuli:Inapatikana

Msimbo wa HS:6903100000

Tutumie barua pepe Pakua kama PDF

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

SiC mipako coated yaSehemu ndogo ya grafiti kwa Semiconductor, mipako ya kaboni ya silicon,Mdhibiti wa MOCVD,
Sehemu ndogo ya grafiti, Sehemu ndogo ya grafiti kwa Semiconductor, Mdhibiti wa MOCVD, Mipako ya Silicon Carbide,

Faida maalum za vihasishi vyetu vya grafiti vilivyofunikwa na SiC ni pamoja na usafi wa hali ya juu sana, mipako yenye usawa na maisha bora ya huduma. Pia wana upinzani wa juu wa kemikali na mali ya utulivu wa joto.

SiC mipako yaSehemu ndogo ya grafiti kwa Semiconductormaombi hutoa sehemu yenye usafi wa hali ya juu na upinzani dhidi ya angahewa ya vioksidishaji.
CVD SiC au CVI SiC inatumika kwa Graphite ya sehemu rahisi au ngumu za muundo. Mipako inaweza kutumika kwa unene tofauti na kwa sehemu kubwa sana.

SiC mipako / coated MOCVD Susceptor

Vipengele:
· Ustahimilivu Bora wa Mshtuko wa Joto
· Upinzani Bora wa Mshtuko wa Kimwili
· Upinzani bora wa Kemikali
· Usafi wa hali ya juu
· Upatikanaji katika Umbo Changamano
· Inaweza kutumika chini ya angahewa ya vioksidishaji

Sifa za Kawaida za Nyenzo ya Msingi ya Graphite:

Msongamano unaoonekana:	1.85 g/cm3
Upinzani wa Umeme:	11 μΩm
Nguvu ya Flexural:	MPa 49 (500kgf/cm2)
Ugumu wa Pwani:	58
Majivu:	<5 ppm
Uendeshaji wa joto:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Kaboni hutoa vihasishi na vijenzi vya grafiti kwa viyeyusho vyote vya sasa vya epitaksi. Kwingineko yetu ni pamoja na vishikiza vya pipa vya kutumika na vitengo vya LPE, viunzi vya pancake kwa LPE, CSD, na vitengo vya Gemini, na visusi vya kaki moja kwa vitengo vilivyotumika na vya ASM. Kwa kuchanganya ushirikiano thabiti na OEM zinazoongoza, utaalam wa vifaa na ujuzi wa utengenezaji, SGL. inatoa muundo bora wa programu yako.

SiC mipako / coated MOCVD Susceptor