Silicon SIC moldsiliconSSIC RBSIC mold
Silicon carbide isiyo na shinikizo (SSIC)huzalishwa kwa kutumia poda laini ya SiC iliyo na viungio vya sintering. Inachakatwa kwa kutumia njia za kawaida za keramik nyingine na kuchomwa kwa 2,000 hadi 2,200 ° C katika anga ya gesi isiyo na hewa. Pamoja na matoleo mazuri, yenye ukubwa wa nafaka < 5 um, matoleo ya coarse-grained na ukubwa wa nafaka hadi 1.5 mm zinapatikana.
SSIC inatofautishwa na nguvu ya juu ambayo hukaa karibu mara kwa mara hadi halijoto ya juu sana (takriban 1,600° C), ikidumisha nguvu hizo kwa muda mrefu!
Faida za bidhaa:
Upinzani wa oxidation ya joto la juu
Upinzani bora wa kutu
Upinzani mzuri wa Abrasion
Mgawo wa juu wa conductivity ya joto
Self-lubricity, chini wiani
Ugumu wa juu
Muundo uliobinafsishwa.
Tabia za kiufundi:
Vipengee | Kitengo | Data |
Ugumu | HS | ≥110 |
Kiwango cha Porosity | % | <0.3 |
Msongamano | g/cm3 | 3.10-3.15 |
Inakandamiza | MPa | >2200 |
Nguvu ya Fractural | MPa | >350 |
Mgawo wa upanuzi | 10/°C | 4.0 |
Maudhui ya Sic | % | ≥99 |
Conductivity ya joto | W/mk | >120 |
Moduli ya Elastic | GPA | ≥400 |
Halijoto | °C | 1380 |