SiC Coating Carrier Kwa RTP/RTA ni sehemu muhimu inayotumika katika michakato ya utengenezaji wa semiconductor inayoitwa Rapid Thermal Processing & Annealing, tunatumia teknolojia yetu iliyoidhinishwa kutengeneza kibebea cha silicon carbide kwa usafi wa hali ya juu sana, ulinganifu mzuri wa mipako na maisha bora ya huduma, kama pamoja na upinzani wa juu wa kemikali na mali ya utulivu wa joto.
Vipengele vya bidhaa zetu:
1. Ustahimilivu wa oxidation wa joto la juu hadi 1700 ℃.
2. Usafi wa juu na usawa wa joto
3. Upinzani bora wa kutu: asidi, alkali, chumvi na vitendanishi vya kikaboni.
4. Ugumu wa juu, uso wa compact, chembe nzuri.
5. Maisha ya huduma ya muda mrefu na ya kudumu zaidi
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifa za kimsingi za CVD SiCmipako | |
| 性质 / Mali | 典型数值 / Thamani ya Kawaida |
| 晶体结构 / Muundo wa Kioo | FCC awamu ya β多晶，主要為（111）取向 |
| 密度 / Msongamano | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Ugumu | 2500 维氏硬度 (mzigo wa 500g) |
| 晶粒大小 / Nafaka SiZe | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Usafi wa Kemikali | 99.99995% |
| 热容 / Uwezo wa Joto | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Usablimishaji Joto | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Nguvu ya Flexural | 415 MPa RT 4-pointi |
| 杨氏模量 / Modulus ya Vijana | 430 Gpa 4pt bend, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalUendeshaji | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Upanuzi wa Joto(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET Energy ndiyo watengenezaji halisi wa bidhaa zilizobinafsishwa za grafiti na silicon zenye mipako tofauti kama vile mipako ya SiC, mipako ya TaC, mipako ya kioo ya kaboni, mipako ya kaboni ya pyrolytic, nk., inaweza kusambaza sehemu mbalimbali maalum kwa sekta ya semiconductor na photovoltaic.
Timu yetu ya kiufundi inatoka kwa taasisi za juu za utafiti wa ndani, inaweza kukupa masuluhisho ya nyenzo za kitaalamu zaidi.
Tunaendeleza michakato ya hali ya juu ili kutoa nyenzo za hali ya juu zaidi, na tumetengeneza teknolojia ya kipekee iliyo na hakimiliki, ambayo inaweza kufanya muunganisho kati ya kupaka na mkatetaka kuwa mgumu zaidi na kukabiliwa na kizuizi.
Karibu sana utembelee kiwanda chetu, tufanye majadiliano zaidi!
