IC Single-Crystal Silicon Epitaxy

Picha ya IC Silicon Single-Crystal Epitaxy Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Mahali pa asili:China

Muundo wa Kioo:Awamu ya FCCβ

Msongamano :3.21 g / cm;

Ugumu:Vickers 2500;

Ukubwa wa Nafaka:2 ~ 10μm;

Usafi wa Kemikali:99.99995%;

Uwezo wa joto:640J·kg-1·K-1;

Halijoto ya Usablimishaji:2700 ℃;

Nguvu ya Felexural:415 Mpa (RT 4-Point);

Modulus ya Vijana:430 Gpa (4pt bend, 1300℃);

Upanuzi wa Joto (CTE) :4.5 10-6K-1;

Uendeshaji wa joto:300 (W/MK);

Tutumie barua pepe Pakua kama PDF

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Maelezo ya Bidhaa

Kampuni yetu hutoa huduma za mchakato wa mipako ya SiC kwa njia ya CVD kwenye uso wa grafiti, keramik na vifaa vingine, ili gesi maalum zilizo na kaboni na silicon kuguswa kwenye joto la juu ili kupata molekuli za SiC za usafi wa juu, molekuli zilizowekwa kwenye uso wa nyenzo zilizofunikwa, kutengeneza safu ya kinga ya SIC.

Vipengele kuu:

1. Upinzani wa oxidation ya joto la juu:

upinzani wa oksidi bado ni mzuri sana wakati halijoto ni ya juu kama 1600 C.

2. Usafi wa juu : hutengenezwa na utuaji wa mvuke wa kemikali chini ya hali ya klorini ya joto la juu.

3. Upinzani wa mmomonyoko wa udongo: ugumu wa juu, uso wa compact, chembe nzuri.

4. Upinzani wa kutu: asidi, alkali, chumvi na vitendanishi vya kikaboni.

Maelezo kuu ya mipako ya CVD-SIC

SiC-CVD Sifa
Muundo wa Kioo	FCC awamu ya β
Msongamano	g/cm³	3.21
Ugumu	Ugumu wa Vickers	2500
Ukubwa wa Nafaka	μm	2 ~ 10
Usafi wa Kemikali	%	99.99995
Uwezo wa joto	J·kg-1 ·K-1	640
Joto la Usablimishaji	℃	2700
Nguvu ya Felexural	MPa (RT-pointi 4)	415
Modulus ya Vijana	Gpa (bend 4, 1300 ℃)	430
Upanuzi wa Joto (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivity ya joto	(W/mK)	300