Kaki ya Silicon ya Inch 8 ya Monocrystalline kutoka VET Energy ni suluhisho linaloongoza katika sekta ya utengenezaji wa semicondukta na vifaa vya kielektroniki. Inatoa usafi wa hali ya juu na muundo wa fuwele, kaki hizi ni bora kwa matumizi ya utendaji wa juu katika tasnia ya photovoltaic na semiconductor. VET Energy huhakikisha kwamba kila kaki inachakatwa kwa uangalifu ili kufikia viwango vya juu zaidi, ikitoa ulinganifu bora na umaliziaji laini wa uso, ambao ni muhimu kwa utengenezaji wa vifaa vya elektroniki vya hali ya juu.
Kaki hizi za Silicon za Inch 8 za Monocrystalline zinaoana na anuwai ya vifaa, ikijumuisha Si Kaki, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, na zinafaa haswa kwa ukuaji wa Epi Wafer. Conductivity yao ya juu ya mafuta na mali ya umeme huwafanya kuwa chaguo la kuaminika kwa ajili ya utengenezaji wa ufanisi wa juu. Zaidi ya hayo, kaki hizi zimeundwa kufanya kazi bila mshono na nyenzo kama vile Gallium Oxide Ga2O3 na AlN Wafer, zinazotoa matumizi mbalimbali kutoka kwa umeme hadi vifaa vya RF. Kaki pia hutoshea kikamilifu katika mifumo ya Kaseti kwa mazingira ya hali ya juu na ya kiotomatiki ya uzalishaji.
Laini ya bidhaa ya VET Energy haiko tu kwenye kaki za silicon. Pia tunatoa anuwai ya nyenzo ndogo za semiconductor, ikiwa ni pamoja na SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, n.k., pamoja na nyenzo mpya za semicondukta pana kama vile Gallium Oxide Ga2O3 na AlN Wafer. Bidhaa hizi zinaweza kukidhi mahitaji ya maombi ya wateja tofauti katika umeme wa umeme, masafa ya redio, vitambuzi na nyanja zingine.
VET Energy huwapa wateja suluhu za kaki zilizobinafsishwa. Tunaweza kubinafsisha kaki na resistivity tofauti, maudhui ya oksijeni, unene, nk kulingana na mahitaji maalum ya wateja. Kwa kuongezea, pia tunatoa usaidizi wa kitaalamu wa kiufundi na huduma ya baada ya mauzo ili kuwasaidia wateja kutatua matatizo mbalimbali yaliyojitokeza wakati wa mchakato wa uzalishaji.
TABIA ZA KUBWA
*n-Pm=n-aina ya Pm-Grade,n-Ps=n-aina Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Kipengee | Inchi 8 | Inchi 6 | Inchi 4 | ||
nP | n-Pm | n-Zab | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Upinde(GF3YFCD)-Thamani Kabisa | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Ukingo wa kaki | Beveling |
USO FINISH
*n-Pm=n-aina ya Pm-Grade,n-Ps=n-aina Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Kipengee | Inchi 8 | Inchi 6 | Inchi 4 | ||
nP | n-Pm | n-Zab | SI | SI | |
Uso Maliza | Upande mbili wa Optical Polish, Si- Face CMP | ||||
Ukali wa uso | (umri 10 x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips za makali | Hairuhusiwi (urefu na upana≥0.5mm) | ||||
Indenti | Hakuna Inayoruhusiwa | ||||
Mikwaruzo(Si-Face) | Kiasi.≤5,Jumla | Kiasi.≤5,Jumla | Kiasi.≤5,Jumla | ||
Nyufa | Hakuna Inayoruhusiwa | ||||
Kutengwa kwa Kingo | 3 mm |