Kaki ya SOI ya VET Energy ya inchi 12 ni nyenzo ndogo ya utendaji wa juu ya semiconductor, ambayo inapendekezwa sana kwa sifa zake bora za umeme na muundo wa kipekee. VET Energy hutumia michakato ya hali ya juu ya utengenezaji wa kaki ya SOI ili kuhakikisha kuwa kaki ina mkondo wa chini wa kuvuja, kasi ya juu na upinzani wa mionzi, na kutoa msingi thabiti kwa saketi zako zilizounganishwa za utendakazi wa juu.
Laini ya bidhaa ya VET Energy haiko tu kwenye kaki za SOI. Pia tunatoa nyenzo mbalimbali za sehemu ndogo ya semiconductor, ikiwa ni pamoja na Si Kaki, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, n.k., pamoja na nyenzo mpya za semicondukta pana kama vile Gallium Oxide Ga2O3 na AlN Wafer. Bidhaa hizi zinaweza kukidhi mahitaji ya maombi ya wateja mbalimbali katika umeme wa umeme, RF, sensorer na nyanja nyingine.
Kwa kuzingatia ubora, kaki zetu za SOI pia hutumia nyenzo za hali ya juu kama vile gallium oxide Ga2O3, kaseti na kaki za AlN ili kuhakikisha kutegemewa na ufanisi katika kila kiwango cha uendeshaji. Amini VET Energy kutoa masuluhisho ya kisasa ambayo yanafungua njia ya maendeleo ya kiteknolojia.
Fungua uwezo wa mradi wako kwa utendakazi bora zaidi wa kaki za SOI za inchi 12 za VET Energy. Boresha uwezo wako wa uvumbuzi kwa kaki zinazojumuisha ubora, usahihi na uvumbuzi, ukiweka msingi wa mafanikio katika nyanja inayobadilika ya teknolojia ya semiconductor. Chagua Nishati ya VET kwa suluhu za kaki za SOI zinazozidi matarajio.
TABIA ZA KUTETEA
*n-Pm=n-aina ya Pm-Grade,n-Ps=n-aina Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Kipengee | Inchi 8 | Inchi 6 | Inchi 4 | ||
nP | n-Pm | n-Zab | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Upinde(GF3YFCD)-Thamani Kabisa | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Ukingo wa kaki | Beveling |
USO FINISH
*n-Pm=n-aina ya Pm-Grade,n-Ps=n-aina Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Kipengee | Inchi 8 | Inchi 6 | Inchi 4 | ||
nP | n-Pm | n-Zab | SI | SI | |
Uso Maliza | Upande mbili wa Optical Polish, Si- Face CMP | ||||
Ukali wa uso | (umri 10 x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips za makali | Hairuhusiwi (urefu na upana≥0.5mm) | ||||
Indenti | Hakuna Inayoruhusiwa | ||||
Mikwaruzo(Si-Face) | Kiasi.≤5,Jumla | Kiasi.≤5,Jumla | Kiasi.≤5,Jumla | ||
Nyufa | Hakuna Inayoruhusiwa | ||||
Kutengwa kwa Kingo | 3 mm |