Susceptor ya ubora wa juu ya 2022 ya MOCVD Nunua mtandaoni nchini Uchina, vihisishi vya epitaxy vya Sic Graphite

Susceptor ya ubora wa juu ya 2022 ya MOCVD Nunua mtandaoni nchini Uchina, Vihisishi vya Sic Graphite epitaxy Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Mipako ya SiC ya substrate ya Graphite kwa matumizi ya Semiconductor hutoa sehemu yenye usafi wa hali ya juu na upinzani dhidi ya angahewa ya vioksidishaji.CVD SiC au CVI SiC inatumika kwa Graphite ya sehemu rahisi au ngumu za muundo.Mipako inaweza kutumika kwa unene tofauti na kwa sehemu kubwa sana.

Mahali pa asili:Zhejiang, Uchina (Bara)

Nambari ya Mfano:Nambari ya Mfano:

Muundo wa Kemikali:Grafiti iliyofunikwa na SiC

Nguvu ya Flexural:470Mpa

Uendeshaji wa joto:300 W/mK

Ubora:Kamilifu

Kazi:CVD-SiC

Maombi:Semiconductor / Photovoltaic

Msongamano:3.21 g/cc

Upanuzi wa joto:4 10-6/K

Majivu: <5ppm

Sampuli:Inapatikana

Msimbo wa HS:6903100000

Tutumie barua pepe Pakua kama PDF

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

2022 ya ubora wa juu MOCVD Susceptor Nunua mtandaoni nchini Uchina, Sic Graphite epitaxy susceptor,
Sehemu ndogo za msaada wa grafiti, Vishawishi vya Graphite, Vishawishi vya Graphite kwa SiC Epitaxy, Vishawishi vya Graphite kwa Silicon, Vipuli vya grafiti na mipako ya silicon carbudi, VIFAA VYA GRAPHITE KATIKA SEMICONDUCTOR Trei za Graphite Vishikizi vya Kaki ya Graphite VIFAA VYA USAFI WA JUU VYOMBO VYA GRAPHITE Opto-electronics, majukwaa ya satelaiti ya MOCVD, SiC iliyopakwa majukwaa ya satelaiti ya grafiti kwa MOCVD,

Faida maalum za vihasishi vyetu vya grafiti vilivyofunikwa na SiC ni pamoja na usafi wa hali ya juu sana, mipako yenye usawa na maisha bora ya huduma.Pia wana upinzani wa juu wa kemikali na mali ya utulivu wa joto.

Mipako ya SiC ya substrate ya Graphite kwa matumizi ya Semiconductor hutoa sehemu yenye usafi wa hali ya juu na upinzani dhidi ya angahewa ya vioksidishaji.
CVD SiC au CVI SiC inatumika kwa Graphite ya sehemu rahisi au ngumu za muundo.Mipako inaweza kutumika kwa unene tofauti na kwa sehemu kubwa sana.

SiC mipako / coated MOCVD Susceptor

vipengele:
· Upinzani Bora wa Mshtuko wa Joto
· Upinzani Bora wa Mshtuko wa Kimwili
· Upinzani bora wa Kemikali
· Usafi wa hali ya juu
· Upatikanaji katika Umbo Changamano
· Inaweza kutumika chini ya angahewa ya vioksidishaji

Sifa za Kawaida za Nyenzo ya Msingi ya Graphite:

Msongamano unaoonekana:	1.85 g/cm3
Upinzani wa Umeme:	11 μΩm
Nguvu ya Flexural:	MPa 49 (500kgf/cm2)
Ugumu wa Pwani:	58
Majivu:	<5ppm
Uendeshaji wa joto:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Kaboni hutoa vihasishi na vijenzi vya grafiti kwa viyeyusho vyote vya sasa vya epitaksi.Kwingineko yetu ni pamoja na vishikiza vya pipa vya kutumika na vitengo vya LPE, viunzi vya pancake kwa LPE, CSD, na vitengo vya Gemini, na visusi vya kaki moja kwa vitengo vilivyotumika na vya ASM. Kwa kuchanganya ubia thabiti na OEM zinazoongoza, utaalam wa vifaa na ujuzi wa utengenezaji, SGL. inatoa muundo bora wa programu yako.