Nyheter

Egenskaper hos kiselkarbidgrafitform
av administratör 24-07-18
Kiselkarbidgrafitform Kiselkarbidgrafitform är en kompositform med kiselkarbid (SiC) som bas och grafit som förstärkningsmaterial. Denna form har utmärkt värmeledningsförmåga, hög temperaturbeständighet, korrosionsbeständighet och...
Läs mer
Hela halvledarprocessen för fotolitografi
av administratör den 24-07-16
Tillverkningen av varje halvledarprodukt kräver hundratals processer. Vi delar upp hela tillverkningsprocessen i åtta steg: waferbearbetning-oxidation-fotolitografi-etsning-tunnfilmsavsättning-epitaxiell tillväxt-diffusion-jonimplantation. För att hjälpa dig...
Läs mer
4 miljarder! SK Hynix tillkännager avancerad halvledarförpackningsinvestering på Purdue Research Park
av administratör den 24-07-09
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. tillkännagav planer på att investera nästan 4 miljarder USD för att bygga en avancerad förpackningstillverknings- och FoU-anläggning för artificiell intelligensprodukter vid Purdue Research Park. Etablerar en nyckellänk i den amerikanska halvledarförsörjningskedjan i West Lafayett...
Läs mer
Laserteknik leder omvandlingen av teknik för bearbetning av kiselkarbidsubstrat
av administratör den 24-07-08
1. Översikt över teknik för bearbetning av kiselkarbidsubstrat De nuvarande bearbetningsstegen för kiselkarbidsubstrat inkluderar: slipning av den yttre cirkeln, skivning, fasning, slipning, polering, rengöring, etc. Skivning är ett viktigt steg i halvledarsubstratproc...
Läs mer
Mainstream termiska fältmaterial: C/C kompositmaterial
av administratör den 24-07-01
Kol-kolkompositer är en typ av kolfiberkompositer, med kolfiber som förstärkningsmaterial och avsatt kol som matrismaterial. Matrisen för C/C-kompositer är kol. Eftersom den nästan helt består av elementärt kol, har den utmärkt högtemperaturbeständighet...
Läs mer
Tre huvudtekniker för SiC-kristalltillväxt
av administratör den 24-07-01
Som visas i fig. 3 finns det tre dominerande tekniker som syftar till att ge SiC-enkristall med hög kvalitet och effektivitet: vätskefasepitaxi (LPE), fysisk ångtransport (PVT) och kemisk ångavsättning vid hög temperatur (HTCVD). PVT är en väletablerad process för att producera SiC sin...
Läs mer
Tredje generationens halvledare GaN och relaterad epitaxialteknologi kort introduktion
av administratör den 24-06-28
1. Tredje generationens halvledare Den första generationens halvledarteknologi utvecklades baserat på halvledarmaterial som Si och Ge. Det är den materiella grunden för utvecklingen av transistorer och integrerad kretsteknik. Den första generationens halvledarmaterial lade fram...
Läs mer
23,5 miljarder, Suzhous superenhörning ska börsintroduceras
av administratör den 24-06-28
Efter 9 år av entreprenörskap har Innoscience samlat in mer än 6 miljarder yuan i total finansiering, och dess värdering har nått häpnadsväckande 23,5 miljarder yuan. Listan över investerare är lika lång som dussintals företag: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...
Läs mer
Hur förbättrar tantalkarbidbelagda produkter korrosionsbeständigheten hos material?
av administratör den 24-06-25
Tantalkarbidbeläggning är en vanlig ytbehandlingsteknik som avsevärt kan förbättra korrosionsbeständigheten hos material. Tantalkarbidbeläggning kan fästas på ytan av substratet genom olika beredningsmetoder, såsom kemisk ångavsättning, fysikalisk...
Läs mer