Warta

Kumaha SiC micro powder dijieun?
ku admin dina 24-05-13
Kristal tunggal SiC nyaéta bahan semikonduktor sanyawa Grup IV-IV anu diwangun ku dua unsur, Si jeung C, dina nisbah stoikiometri 1:1. Teu karasa nyaeta kadua ukur pikeun inten. Ngurangan karbon metode oksida silikon pikeun nyiapkeun SiC utamana dumasar kana rumus réaksi kimia di handap ieu...
Maca deui
Kumaha lapisan epitaxial ngabantosan alat semikonduktor?
ku admin dina 24-05-13
Asal muasal ngaran wafer epitaxial Kahiji, hayu urang ngapopulérkeun konsép leutik: persiapan wafer ngawengku dua tumbu utama: persiapan substrat jeung prosés epitaxial. Substrat nyaéta wafer anu didamel tina bahan kristal tunggal semikonduktor. Substrat tiasa langsung asup kana pabrik wafer ...
Maca deui
Bubuka pikeun déposisi uap kimia (CVD) téknologi déposisi pilem ipis
ku admin dina 24-05-06
Chemical Vapor Deposition (CVD) nyaéta téknologi déposisi pilem ipis anu penting, sering dianggo pikeun nyiapkeun rupa-rupa film fungsional sareng bahan lapisan ipis, sareng seueur dianggo dina manufaktur semikonduktor sareng widang sanésna. 1. Prinsip kerja CVD Dina prosés CVD, prékursor gas (hiji atanapi ...
Maca deui
Rahasia "emas hideung" tukangeun industri semikonduktor photovoltaic: kahayang sareng gumantungna kana grafit isostatik
ku admin dina 24-05-06
Grafit isostatik nyaéta bahan anu penting pisan dina photovoltaics sareng semikonduktor. Kalayan naékna gancang perusahaan grafit isostatik domestik, monopoli perusahaan asing di Cina parantos rusak. Kalayan panalungtikan sareng pamekaran mandiri anu terus-terusan sareng terobosan téknologi, ...
Maca deui
Ngabongkarkeun Karakteristik Penting Parahu Grafit dina Pabrikan Keramik Semikonduktor
ku admin dina 24-04-22
Parahu grafit, ogé katelah parahu grafit, maénkeun peran anu penting dina prosés rumit manufaktur keramik semikonduktor. Kapal khusus ieu janten pamawa anu dipercaya pikeun wafer semikonduktor salami perlakuan suhu luhur, mastikeun pamrosésan anu tepat sareng dikontrol. Jeung...
Maca deui
Struktur internal alat tabung tungku dijelaskeun sacara rinci
ku admin dina 24-04-22
Saperti ditémbongkeun di luhur, mangrupakeun has The satengah munggaran: ▪ Elemen Pemanas (heating coil): ayana di sabudeureun tube tungku, biasana dijieunna tina kawat résistansi, dipaké pikeun panas jero tube tungku. ▪ Pipa Kuarsa: Inti tina tungku oksidasi panas, didamel tina kuarsa kemurnian luhur anu tiasa tahan h...
Maca deui
Balukar substrat SiC sareng bahan epitaxial dina ciri alat MOSFET
ku admin dina 24-04-16
Cacat Triangular Cacat segitiga nyaéta cacad morfologis anu paling fatal dina lapisan epitaxial SiC. A angka nu gede ngarupakeun laporan literatur geus ditémbongkeun yén formasi defects triangular patali jeung formulir kristal 3C. Nanging, kusabab mékanisme pertumbuhan anu béda, morfologi seueur ...
Maca deui
Tumuwuhna SiC silikon carbide kristal tunggal
ku admin dina 24-04-16
Kusabab kapanggihna, silikon carbide geus narik perhatian nyebar. Silikon karbida diwangun ku satengah atom Si jeung satengah atom C, nu disambungkeun ku beungkeut kovalén ngaliwatan pasangan éléktron babagi orbital hibrid sp3. Dina unit struktural dasar kristal tunggal na, opat atom Si mangrupakeun ...
Maca deui
VET Pasipatan luar biasa tina grafit rod
ku admin dina 24-04-08
Grafit, wangun karbon, mangrupakeun bahan luar biasa dipikawanoh pikeun sipat unik sarta rupa-rupa aplikasi. Batang grafit, khususna, parantos nampi pangakuan anu signifikan pikeun kualitas sareng fleksibilitas anu luar biasa. Kalayan konduktivitas termal anu saé, konduktivitas listrik ...
Maca deui