Sipat silikon carbide recrystallized
Recrystallized silikon carbide (R-SiC) mangrupakeun bahan-kinerja tinggi kalawan karasa kadua ukur pikeun inten, nu kabentuk dina suhu luhur 2000 ℃. Ieu nahan loba sipat unggulan SiC, kayaning kakuatan suhu luhur, résistansi korosi kuat, résistansi oksidasi alus teuing, résistansi shock termal alus jeung saterusna.
● sipat mékanis alus teuing. Recrystallized silikon carbide boga kakuatan leuwih luhur sarta stiffness ti serat karbon, résistansi dampak tinggi, bisa maénkeun kinerja alus dina lingkungan suhu ekstrim, bisa maénkeun kinerja counterbalance hadé dina rupa-rupa situasi. Sajaba ti éta, éta ogé boga kalenturan alus tur teu gampang ruksak ku manjang tur bending, nu greatly ngaronjatkeun kinerja na.
● lalawanan korosi High. Recrystallized silikon carbide boga résistansi korosi tinggi kana rupa-rupa média, bisa nyegah erosi tina rupa-rupa média corrosive, bisa ngajaga sipat mékanis na keur lila, ngabogaan adhesion kuat, ku kituna boga umur layanan panjang. Sajaba ti éta, éta ogé boga stabilitas termal alus, bisa adaptasi jeung rentang tangtu parobahan suhu, ngaronjatkeun pangaruh aplikasi na.
● Sintering teu ngaleutikan. Kusabab prosés sintering teu ngaleutikan, euweuh stress residual bakal ngabalukarkeun deformasi atawa cracking produk, sarta bagian kalawan wangun kompléks jeung precision tinggi bisa disiapkeun.
| 重结晶碳化硅物理特性 Sipat fisik Recrystallized Silicon Carbide | |
| 性质 / Harta | 典型数值 / Niley has |
| 使用温度/ Suhu gawé (°C) | 1600°C (kalayan oksigén), 1700°C (lingkungan réduksi) |
| SiC含量/ eusi SiC | > 99,96% |
| 自由Si含量/ Eusi Si bébas | < 0,1% |
| 体积密度/Kapadetan bulk | 2,60-2,70 g / cm3 |
| 气孔率/ Porosity katempo | < 16% |
| 抗压强度/ kakuatan komprési | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/kakuatan bending tiis | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度kakuatan bending panas | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Ékspansi termal @ 1500 ° C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Konduktivitas termal @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Modulus elastis | 240 GPa |
| 抗热震性/ lalawanan shock termal | Kacida alusna |
VET Energy nyaéta étaprodusén nyata produk grafit jeung silikon carbide ngaropéa kalawan palapis CVD,bisa nyadiakeunrupa-rupabagian ngaropéa pikeun semikonduktor jeung industri photovoltaic. Otim téknis ur asalna ti lembaga panalungtikan domestik luhur, bisa nyadiakeun solusi bahan leuwih profésionalkanggo Anjeun.
Kami terus-terusan ngembangkeun prosés maju pikeun nyayogikeun bahan anu langkung maju,jeunggeus digawé kaluar hiji téhnologi dipaténkeun ekslusif, nu bisa nyieun beungkeutan antara palapis jeung substrat tighter sarta kirang rawan detachment.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Sipat fisik dasar CVD SiCpalapis | |
| 性质 / Harta | 典型数值 / Niley has |
| 晶体结构 / Struktur Kristal | Fase β FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Kapadetan | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Teu karasa | 2500 维氏硬度（500g beban） |
| 晶粒大小 / Ukuran Gandum | 2~10μm |
| 纯度 / Kamurnian Kimia | 99.99995% |
| 热容 / Kapasitas panas | 640 J·kg-1· K-1 |
| 升华温度 / Suhu sublimation | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Kakuatan Flexural | 415 MPa RT 4-titik |
| 杨氏模量 / Modulus ngora | 430 Gpa 4pt ngalipet, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TérmalKonduktivitas | 300W·m-1· K-1 |
| 热膨胀系数 / Ékspansi Termal (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Warmly ngabagéakeun anjeun nganjang ka pabrik urang, hayu urang sawala salajengna!
-
Recrystallized Silicon Carbide Wafer Parahu Jeung ...
-
CVD SiC Dilapis Karbon-karbon Komposit CFC Parahu...
-
CVD Silicon Carbide Coated grafit Ring
-
Recrystallized Silicon Carbide Kristal Parahu Pikeun ...
-
Lempeng komposit karbon-karbon Jeung palapis SiC
-
Custom High Purity SiC coated grafit manaskeun H ...