Garis produk VET Energy henteu dugi ka GaN dina wafer SiC. Kami ogé nyayogikeun rupa-rupa bahan substrat semikonduktor, kalebet Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, jsb. Wafer, pikeun nyumponan paménta industri éléktronika masa depan pikeun alat-alat kinerja anu langkung luhur.
VET Energy nyayogikeun jasa kustomisasi anu fleksibel, sareng tiasa nyaluyukeun lapisan epitaxial GaN tina ketebalan anu béda, jinis doping anu béda, sareng ukuran wafer anu béda-béda dumasar kana kabutuhan khusus para nasabah. Salaku tambahan, kami ogé nyayogikeun dukungan téknis profésional sareng jasa saatos-jualan pikeun ngabantosan para nasabah gancang ngembangkeun alat-alat éléktronik kakuatan kinerja tinggi.
SPESIFIKASI WAFERING
*n-Pm=n-tipe Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Barang | 8-Inci | 6-Inci | 4-Inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Ruku (GF3YFCD) -Niley Absolute | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Tepi | Beveling |
Beungeut bérés
*n-Pm=n-tipe Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Barang | 8-Inci | 6-Inci | 4-Inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Surface Finish | Ganda sisi Polandia optik, Si- Nyanghareupan CMP | ||||
Kakasaran Permukaan | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Raray Ra≤0.2nm | |||
Ujung Chips | Henteu Diidinan (panjang sareng lebar ≥0.5mm) | ||||
Indents | Taya Diijinkeun | ||||
Goresan (Si-Raray) | Qty.≤5, Kumulatif | Qty.≤5, Kumulatif | Qty.≤5, Kumulatif | ||
Rengkak | Taya Diijinkeun | ||||
Pangaluaran Tepi | 3 mm |