Сусцетпор обложен СиЦ је кључна компонента која се користи у различитим производним процесима полупроводника. Користимо нашу патентирану технологију да направимо сусцетпор обложен СиЦ-ом са изузетно високом чистоћом, добром униформношћу премаза и одличним веком трајања, као и високом хемијском отпорношћу и својствима термичке стабилности.
Карактеристике наших производа:
1. Отпорност на оксидацију високе температуре до 1700 ℃.
2. Висока чистоћа и термичка униформност
3. Одлична отпорност на корозију: киселине, алкалије, соли и органски реагенси.
4. Висока тврдоћа, компактна површина, фине честице.
5. Дужи радни век и издржљивији
| ЦВД SiC薄膜基本物理性能 Основна физичка својства ЦВД СиЦпремазивање | |
| 性质 / Проперти | 典型数值 / Типична вредност |
| 晶体结构 / Цристал Струцтуре | ФЦЦ β фаза多晶, 主要为（111）取向 |
| 密度 / Густина | 3,21 г/цм³ |
| 硬度 / Тврдоћа | 2500 维氏硬度 (500г оптерећење) |
| 晶粒大小 / Величина зрна | 2~10μм |
| 纯度 / Цхемицал Пурити | 99,99995% |
| 热容 / Капацитет топлоте | 640 Ј·кг-1·К-1 |
| 升华温度 / Температура сублимације | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Флекурал Стренгтх | 415 МПа РТ 4 тачке |
| 杨氏模量 / Иоунг'с Модулус | 430 Гпа 4пт кривина, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ТхермалЦондуцтивити | 300В·м-1·К-1 |
| 热膨胀系数 / термичка експанзија (ЦТЕ) | 4,5×10-6K-1 |
Срдачно вас поздрављамо да посетите нашу фабрику, хајде да разговарамо даље!
