СиЦ Цоатед Грапхите Халфмоон Партis a кључкомпонента која се користи у процесима производње полупроводника, посебно за СиЦ епитаксијалну опрему.Користимо нашу патентирану технологију да направимо део полумесецаизузетно високе чистоће,добропремазивањеуједначености одличан радни век, као ивисока хемијска отпорност и својства термичке стабилности.
ВЕТ Енерги је тхеправи произвођач прилагођених производа од графита и силицијум карбида са ЦВД премазом,може снабдеватиразнеприлагођени делови за полупроводничку и фотонапонску индустрију. Oваш технички тим долази из врхунских домаћих истраживачких институција, може пружити професионалнија материјална решењаза тебе.
Континуирано развијамо напредне процесе како бисмо обезбедили напредније материјале,иразвили су ексклузивну патентирану технологију, која може учинити везу између премаза и подлоге чвршћом и мање склоном одвајању.
Fјела наших производа:
1. Отпорност на оксидацију високе температуре до 1700℃.
2. Висока чистоћа итермичка униформност
3. Одлична отпорност на корозију: киселине, алкалије, соли и органски реагенси.
4. Висока тврдоћа, компактна површина, фине честице.
5. Дужи радни век и издржљивији
| ЦВД SiC薄膜基本物理性能 Основна физичка својства ЦВД СиЦпремазивање | |
| 性质 / Проперти | 典型数值 / Типична вредност |
| 晶体结构 / Цристал Струцтуре | ФЦЦ β фаза多晶, 主要为（111）取向 |
| 密度 / Густина | 3,21 г/цм³ |
| 硬度 / Тврдоћа | 2500 维氏硬度 (500г оптерећење) |
| 晶粒大小 / Величина зрна | 2~10μм |
| 纯度 / Цхемицал Пурити | 99,99995% |
| 热容 / Капацитет топлоте | 640 Ј·кг-1·К-1 |
| 升华温度 / Температура сублимације | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Флекурал Стренгтх | 415 МПа РТ 4 тачке |
| 杨氏模量 / Иоунг'с Модулус | 430 Гпа 4пт кривина, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ТхермалЦондуцтивити | 300В·м-1·К-1 |
| 热膨胀系数 / термичка експанзија (ЦТЕ) | 4,5×10-6K-1 |
Срдачно вас поздрављамо да посетите нашу фабрику, хајде да разговарамо даље!
