Epitaksialni Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaksialni Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaksialni Epi Graphite Barrel Susceptorje posebej zasnovana podporna in grelna naprava, ki se uporablja za držanje in ogrevanje polprevodniških substratov med proizvodnimi procesi, kot so postopki nanašanja ali epitaksije.

Njegova struktura vključuje tipično valjasto ali rahlo sodčasto obliko, površina ima več žepov ali ploščadi za postavitev rezin, lahko je trdna ali votla oblika, odvisno od načina segrevanja.

Glavne funkcije epitaksialnega susceptorja:

-Podpora za substrat: varno drži več polprevodniških rezin;
-Vir toplote: s segrevanjem zagotavlja visoke temperature, potrebne za rast;
-Enomernost temperature: zagotavlja enakomerno segrevanje podlage;
- Vrtenje: običajno se vrti med rastjo, da izboljša enakomernost porazdelitve temperature in plina.

Načelo delovanja Epi graphite barrel suceptorja:
- V epitaksalnem reaktorju se sod susceptor segreje na zahtevano temperaturo (običajno 1000 ℃-1200 ℃ za silikonsko epitaksijo);
-Septor cevi se vrti, da zagotovi enakomerno porazdelitev temperature in pretok plina;
-Reakcijski plini se pri visokih temperaturah razgradijo in tvorijo epitaksialne plasti na površini substrata.

Aplikacije:
- Uporablja se predvsem za epitaksialno rast silicija
-Uporabno tudi za epitaksijo drugih polprevodniških materialov, kot so GaAs, InP itd.

VET Energy uporablja grafit visoke čistosti s CVD-SiC prevleko za izboljšanje kemične stabilnosti:

Prednosti VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

-Visoka temperaturna stabilnost;
-Dobra toplotna enakomernost;
-Lahko obdeluje več substratov hkrati, izboljša učinkovitost proizvodnje;
- Kemično inerten, ohranja rastno okolje visoke čistosti.