Epitaxia GaN na báze kremíka

Popis produktu

Naša spoločnosť poskytuje služby procesu poťahovania SiC metódou CVD na povrchu grafitu, keramiky a iných materiálov tak, že špeciálne plyny obsahujúce uhlík a kremík reagujú pri vysokej teplote za vzniku vysoko čistých molekúl SiC, molekúl usadených na povrchu poťahovaných materiálov, vytvára ochrannú vrstvu SIC.

Hlavné vlastnosti:

1. Odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote:

odolnosť proti oxidácii je stále veľmi dobrá, keď je teplota až 1600 C.

2. Vysoká čistota: vyrobená chemickou depozíciou pár pri vysokej teplote chlorácie.

3. Odolnosť proti erózii: vysoká tvrdosť, kompaktný povrch, jemné častice.

4. Odolnosť proti korózii: kyselinám, zásadám, soliam a organickým činidlám.

Hlavné špecifikácie povlaku CVD-SIC