6-palcový Semi Insulating SiC Wafer od VET Energy je pokročilé riešenie pre vysokovýkonné a vysokofrekvenčné aplikácie, ktoré ponúka vynikajúcu tepelnú vodivosť a elektrickú izoláciu. Tieto poloizolačné doštičky sú nevyhnutné pri vývoji zariadení, ako sú RF zosilňovače, výkonové spínače a iné vysokonapäťové komponenty. VET Energy zaisťuje konzistentnú kvalitu a výkon, vďaka čomu sú tieto doštičky ideálne pre širokú škálu procesov výroby polovodičov.
Okrem ich vynikajúcich izolačných vlastností sú tieto SiC doštičky kompatibilné s rôznymi materiálmi vrátane Si Wafer, SiC Substrát, SOI Wafer, SiN Substrát a Epi Wafer, vďaka čomu sú univerzálne pre rôzne typy výrobných procesov. Okrem toho je možné v kombinácii s týmito SiC doštičkami použiť pokročilé materiály, ako je oxid gália Ga2O3 a AlN Wafer, čo poskytuje ešte väčšiu flexibilitu vo vysokovýkonných elektronických zariadeniach. Doštičky sú navrhnuté pre bezproblémovú integráciu s priemyselnými štandardnými manipulačnými systémami, ako sú kazetové systémy, čo zaisťuje jednoduché použitie v nastaveniach sériovej výroby.
VET Energy ponúka komplexné portfólio polovodičových substrátov vrátane Si Wafer, SiC Substrát, SOI Wafer, SiN Substrát, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 a AlN Wafer. Naša rôznorodá produktová rada uspokojuje potreby rôznych elektronických aplikácií, od výkonovej elektroniky po RF a optoelektroniku.
6-palcová poloizolačná doska SiC ponúka niekoľko výhod:
Vysoké prierazné napätie: Široká šírka pásma SiC umožňuje vyššie prierazné napätie, čo umožňuje kompaktnejšie a efektívnejšie napájacie zariadenia.
Prevádzka pri vysokej teplote: Vynikajúca tepelná vodivosť SiC umožňuje prevádzku pri vyšších teplotách, čím sa zvyšuje spoľahlivosť zariadenia.
Nízky odpor pri zapnutí: Zariadenia SiC vykazujú nižší odpor pri zapnutí, čím sa znížia straty energie a zvýši sa energetická účinnosť.
VET Energy ponúka prispôsobiteľné SiC doštičky, ktoré spĺňajú vaše špecifické požiadavky, vrátane rôznych hrúbok, úrovní dopovania a povrchových úprav. Náš odborný tím poskytuje technickú podporu a popredajný servis, aby ste zaistili váš úspech.
ŠPECIFIKÁCIE WAFEROV
*n-Pm=n-typ Pm-stupeň,n-Ps=n-typ Ps-stupeň,Sl=poloizolačný
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6 um | ≤ 6 um | |||
Bow (GF3YFCD) - Absolútna hodnota | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 25 μm | ≤ 15 μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 40 μm | ≤ 25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Oblátkový okraj | Skosenie |
POVRCHOVÁ ÚPRAVA
*n-Pm=n-typ Pm-stupeň,n-Ps=n-typ Ps-stupeň,Sl=poloizolačný
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Povrchová úprava | Obojstranný optický lesk, Si-Face CMP | ||||
Drsnosť povrchu | (10 um x 10 um) Si-FaceRa ≤ 0,2 nm | (5 um x 5 um) Si-Face Ra ≤ 0,2 nm | |||
Hranové čipy | Nie je povolené (dĺžka a šírka ≥ 0,5 mm) | ||||
Zarážky | Žiadne Povolené | ||||
Škrabance (Si-Face) | Množ.≤5, Kumulatívne | Množ.≤5, Kumulatívne | Množ.≤5, Kumulatívne | ||
Trhliny | Žiadne Povolené | ||||
Vylúčenie okrajov | 3 mm |