SiC ආෙල්පන මිනිරන් MOCVD වේෆර් වාහක, SiC Epitaxy සඳහා Graphite Susceptors,
-SiCGraphiteWafer, කාබන් සැපයුම් susceptors, epitaxy susceptors, ග්රැෆයිට් susceptors සපයයි, Graphite Wafer Susceptors, https://www.vet-china.com/sic-coating-graphite-mocvd-wafer-carriers-2.html#:~:text=SicGraphiteSusceptors-, SicGraphiteTrays,

CVD-SiC ආලේපනය ඒකාකාර ව්‍යුහය, සංයුක්ත ද්‍රව්‍ය, ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්‍රතිරෝධය, ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය, ඉහළ සංශුද්ධතාවය, අම්ල සහ ක්ෂාර ප්‍රතිරෝධය සහ කාබනික ප්‍රතික්‍රියාකාරක, ස්ථාවර භෞතික හා රසායනික ගුණ සහිත ලක්ෂණ ඇත.

අධි සංශුද්ධතාවයෙන් යුත් මිනිරන් ද්‍රව්‍ය හා සසඳන විට, මිනිරන් 400C දී ඔක්සිකරණය වීමට පටන් ගනී, එය ඔක්සිකරණය හේතුවෙන් කුඩු නැතිවීමක් ඇති කරයි, පර්යන්ත උපාංග සහ රික්ත කුටි වලට පරිසර දූෂණය ඇති කරයි, සහ ඉහළ සංශුද්ධතාවයේ අපිරිසිදුකම වැඩි කරයි.

කෙසේ වෙතත්, SiC ආලේපනය අංශක 1600 ක භෞතික හා රසායනික ස්ථායීතාවයක් පවත්වා ගත හැකිය, එය නවීන කර්මාන්තයේ, විශේෂයෙන් අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තයේ බහුලව භාවිතා වේ.

අපගේ සමාගම මිනිරන්, පිඟන් මැටි සහ වෙනත් ද්‍රව්‍යවල මතුපිට CVD ක්‍රමයට SiC ආලේපන ක්‍රියාවලි සේවා සපයයි, එවිට කාබන් සහ සිලිකන් අඩංගු විශේෂ වායු ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් SiC අණු, ආලේපිත ද්‍රව්‍යවල මතුපිට තැන්පත් කර ඇති අණු ලබා ගැනීම සඳහා ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී ප්‍රතික්‍රියා කරයි. SIC ආරක්ෂිත ස්ථරය සෑදීම. සාදන ලද SIC ග්‍රැෆයිට් පදනමට තදින් බැඳී ඇති අතර, මිනිරන් පාදයට විශේෂ ගුණාංග ලබා දෙයි, එමඟින් මිනිරන් මතුපිට සංයුක්ත, සිදුරු රහිත, ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්‍රතිරෝධය, විඛාදන ප්‍රතිරෝධය සහ ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය ඇති කරයි.

ප්රධාන ලක්ෂණ:

1. ඉහළ උෂ්ණත්ව ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය:

උෂ්ණත්වය සෙල්සියස් අංශක 1700 තරම් ඉහළ මට්ටමක පවතින විට ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය තවමත් ඉතා යහපත් වේ.

2. ඉහළ සංශුද්ධතාවය: අධික උෂ්ණත්ව ක්ලෝරීන තත්ත්වය යටතේ රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් වීම මගින් සාදා ඇත.

3. ඛාදනය ප්රතිරෝධය: ඉහළ දෘඪතාව, සංයුක්ත මතුපිට, සියුම් අංශු.

4. විඛාදන ප්රතිරෝධය: අම්ලය, ක්ෂාර, ලුණු සහ කාබනික ප්රතික්රියාකාරක.

CVD-SIC ආලේපනවල ප්‍රධාන පිරිවිතර:

සැපයුම් හැකියාව:

මසකට 10000 කෑලි/කෑලි
ඇසුරුම් කිරීම සහ බෙදා හැරීම:
ඇසුරුම් කිරීම: සම්මත සහ ශක්තිමත් ඇසුරුම්
Poly bag + Box + Carton + Pallet
වරාය:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
පූරක කාලය: