නැවත ස්ඵටිකීකරණය කරන ලද සිලිකන් කාබයිඩ් වල ගුණ
Recrystallized silicon carbide (R-SiC) යනු 2000℃ ට වැඩි ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී සෑදෙන දියමන්තිවලට පමණක් දෙවැනි වන දෘඪතාව සහිත ඉහළ ක්‍රියාකාරී ද්‍රව්‍යයකි. ඉහළ උෂ්ණත්ව ශක්තිය, ප්‍රබල විඛාදන ප්රතිරෝධය, විශිෂ්ට ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය, හොඳ තාප කම්පන ප්රතිරෝධය වැනි SiC හි විශිෂ්ට ගුණාංග රාශියක් එය රඳවා තබා ගනී.
● විශිෂ්ට යාන්ත්රික ගුණ. ප්‍රතිස්ඵටිකීකරණය කරන ලද සිලිකන් කාබයිඩ් කාබන් ෆයිබර් වලට වඩා වැඩි ශක්තියක් සහ දෘඩතාවයක් ඇත, ඉහළ බලපෑම් ප්රතිරෝධය, ආන්තික උෂ්ණත්ව පරිසරයන් තුළ හොඳ කාර්ය සාධනයක් කළ හැකිය, විවිධ අවස්ථාවන්හිදී වඩා හොඳ ප්‍රති තුලන කාර්ය සාධනයක් ඉටු කළ හැකිය. ඊට අමතරව, එය හොඳ නම්‍යශීලී බවක් ඇති අතර දිගු කිරීමෙන් සහ නැමීමෙන් පහසුවෙන් හානි නොවන අතර එමඟින් එහි ක්‍රියාකාරිත්වය බෙහෙවින් වැඩි දියුණු වේ.
● ඉහළ විඛාදන ප්රතිරෝධය. Recrystallized සිලිකන් කාබයිඩ් විවිධ මාධ්‍ය වලට ඉහළ විඛාදන ප්‍රතිරෝධයක් ඇත, විවිධ විඛාදන මාධ්‍යවල ඛාදනය වැළැක්විය හැකිය, එහි යාන්ත්රික ගුණාංග දිගු කාලයක් පවත්වා ගත හැකිය, ශක්තිමත් ඇලීමක් ඇති බැවින් එය දිගු සේවා කාලයක් ඇත. මීට අමතරව, එය හොඳ තාප ස්ථායීතාවයක් ද ඇත, උෂ්ණත්ව වෙනස්වීම් යම් පරාසයකට අනුවර්තනය විය හැකිය, එහි යෙදුම් බලපෑම වැඩි දියුණු කරයි.
● සින්ටර් කිරීම හැකිලෙන්නේ නැත. සින්ටර් කිරීමේ ක්රියාවලිය හැකිලෙන්නේ නැති නිසා, කිසිදු අවශේෂ ආතතියක් නිෂ්පාදනයේ විරූපණයට හෝ ඉරිතැලීමට හේතු නොවන අතර, සංකීර්ණ හැඩයන් සහ ඉහළ නිරවද්යතාවයකින් යුත් කොටස් සකස් කළ හැකිය.
| 重结晶碳化硅物理特性 Recrystallized Silicon Carbide හි භෞතික ගුණාංග | |
| 性质 / දේපල | 典型数值 / සාමාන්ය අගය |
| 使用温度/ වැඩ කරන උෂ්ණත්වය (°C) | 1600 ° C (ඔක්සිජන් සහිත), 1700 ° C (පරිසරය අඩු කිරීම) |
| SiC含量/ SiC අන්තර්ගතය | > 99.96% |
| 自由Si含量/ නොමිලේ Si අන්තර්ගතය | < 0.1% |
| 体积密度/තොග ඝනත්වය | 2.60-2.70 g / සෙ.මී3 |
| 气孔率/ පෙනෙන porosity | < 16% |
| 抗压强度/ සම්පීඩන ශක්තිය | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/සීතල නැමීමේ ශක්තිය | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度උණුසුම් නැමීමේ ශක්තිය | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ තාප ප්‍රසාරණය @1500°C | 4.70 10-6/°සී |
| 导热系数/තාප සන්නායකතාවය @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ ඉලාස්ටික් මාපාංකය | 240 GPa |
| 抗热震性/ තාප කම්පන ප්රතිරෝධය | අතිශයින්ම හොඳයි |
VET බලශක්තිය වේ දCVD ආලේපනය සහිත අභිරුචිකරණය කරන ලද මිනිරන් සහ සිලිකන් කාබයිඩ් නිෂ්පාදන සැබෑ නිෂ්පාදකයා,සැපයිය හැකවිවිධඅර්ධ සන්නායක සහ ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා කර්මාන්තය සඳහා අභිරුචි කළ කොටස්. Oඔබගේ තාක්ෂණික කණ්ඩායම ඉහළ දේශීය පර්යේෂණ ආයතන වලින් පැමිණේ, වඩා වෘත්තීය ද්රව්යමය විසඳුම් ලබා දිය හැකියඔයා වෙනුවෙන්.
වඩාත් දියුණු ද්‍රව්‍ය සැපයීම සඳහා අපි අඛණ්ඩව උසස් ක්‍රියාවලි සංවර්ධනය කරමු,සහආලේපනය සහ උපස්ථරය අතර බන්ධනය වඩාත් තද කළ හැකි අතර වෙන්වීමට ඇති ඉඩකඩ අඩු කළ හැකි සුවිශේෂී පේටන්ට් බලපත්‍ර තාක්ෂණයක් සකස් කර ඇත.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC හි මූලික භෞතික ගුණාංගආලේපනය | |
| 性质 / දේපල | 典型数值 / සාමාන්ය අගය |
| 晶体结构 / ස්ඵටික ව්යුහය | FCC β අදියර多晶,主要为（111）取向 |
| 密度 / ඝනත්වය | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / දෘඪතාව | 2500 维氏硬度 (ග්රෑම් 500 බර) |
| 晶粒大小 / ධාන්ය ප්රමාණය | 2~10μm |
| 纯度 / රසායනික සංශුද්ධතාවය | 99.99995% |
| 热容 / තාප ධාරිතාව | 640 J·kg-1·කේ-1 |
| 升华温度 / Sublimation උෂ්ණත්වය | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Flexural ශක්තිය | 415 MPa RT 4-ලක්ෂ්‍යය |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt වංගුව, 1300℃ |
| 导热系数 / තාපඑල්සන්නායකතාව | 300W·m-1·කේ-1 |
| 热膨胀系数 / තාප ප්‍රසාරණය (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
අපගේ කර්මාන්ත ශාලාව නැරඹීමට ඔබව සාදරයෙන් පිළිගනිමු, අපි තවදුරටත් සාකච්ඡා කරමු!
