PSS Etch වාහකය

කෙටි විස්තරය:

ආරම්භක ස්ථානය:චීනය

ස්ඵටික ව්යුහය:FCCβ අදියර

ඝනත්වය:3.21 g / cm;

දෘඪතාව:2500 විකර්ස්;

ධාන්ය ප්රමාණය:2 ~ 10μm;

රසායනික සංශුද්ධතාවය:99.99995%;

තාප ධාරිතාව:640J·kg-1·K-1;

සබ්ලිමේෂන් උෂ්ණත්වය:2700℃;

Felexural ශක්තිය:415 Mpa (RT 4-Point);

තරුණ මාපාංකය:430 Gpa (4pt වංගුව, 1300℃);

තාප ප්‍රසාරණය (CTE):4.5 10-6K-1;

තාප සන්නායකතාව:300 (W/MK);

අපට විද්‍යුත් තැපෑල එවන්න PDF ලෙස බාගන්න

නිෂ්පාදන විස්තර

නිෂ්පාදන ටැග්

නිෂ්පාදනය විස්තරය

අපගේ සමාගම මිනිරන්, පිඟන් මැටි සහ වෙනත් ද්‍රව්‍යවල මතුපිට CVD ක්‍රමයට SiC ආලේපන ක්‍රියාවලි සේවා සපයයි, එවිට කාබන් සහ සිලිකන් අඩංගු විශේෂ වායු ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් SiC අණු, ආලේපිත ද්‍රව්‍යවල මතුපිට තැන්පත් කර ඇති අණු ලබා ගැනීම සඳහා ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී ප්‍රතික්‍රියා කරයි. SIC ආරක්ෂිත ස්ථරය සෑදීම.

ප්රධාන ලක්ෂණ:

1. ඉහළ උෂ්ණත්ව ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය:

උෂ්ණත්වය සෙල්සියස් අංශක 1600 තරම් ඉහළ මට්ටමක පවතින විට ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය තවමත් ඉතා යහපත් වේ.

2. ඉහළ සංශුද්ධතාවය : අධික උෂ්ණත්ව ක්ලෝරීන තත්ත්වය යටතේ රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් වීම මගින් සාදනු ලැබේ.

3. ඛාදනය ප්රතිරෝධය: ඉහළ දෘඪතාව, සංයුක්ත මතුපිට, සියුම් අංශු.

4. විඛාදන ප්රතිරෝධය: අම්ලය, ක්ෂාර, ලුණු සහ කාබනික ප්රතික්රියාකාරක.

CVD-SIC ආලේපනයේ ප්‍රධාන පිරිවිතර

SiC-CVD ගුණාංග
ස්ඵටික ව්යුහය	FCC β අදියර
ඝනත්වය	g/cm ³	3.21
දැඩි බව	විකර්ස් දෘඪතාව	2500
ධාන්ය ප්රමාණය	μm	2~10
රසායනික සංශුද්ධතාවය	%	99.99995
තාප ධාරිතාව	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimation උෂ්ණත්වය	℃	2700
Felexural ශක්තිය	MPa (RT 4-ලක්ෂ්‍යය)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt වංගුව, 1300℃)	430
තාප ප්‍රසාරණය (CTE)	10-6K-1	4.5
තාප සන්නායකතාව	(W/mK)	300