චීන නිෂ්පාදක SiC Coated Graphite MOCVD Epitaxy Susceptor

කෙටි විස්තරය:

සංශුද්ධතාවය < 5ppm
‣ හොඳ තහනම් උත්තේජක ඒකාකාරිත්වය
‣ අධික ඝනත්වය සහ ඇලවීම
‣ හොඳ විඛාදන විරෝධී සහ කාබන් ප්‍රතිරෝධය

‣ වෘත්තීය අභිරුචිකරණය
‣ කෙටි ඉදිරි කාලය
‣ ස්ථාවර සැපයුම
‣ තත්ත්ව පාලනය සහ අඛණ්ඩ වැඩිදියුණු කිරීම

Sapphire මත GaN වල Epitaxy(RGB/Mini/Micro LED);
Si උපස්ථරය මත GaN වල Epitaxy(UVC);
Si උපස්ථරය මත GaN වල Epitaxy(විද්යුත් උපාංගය);
Si උපස්ථරය මත Si හි Epitaxy(ඒකාබද්ධ පරිපථය);
SiC උපස්ථරය මත SiC හි Epitaxy(උපස්ථරය);
Epitaxy of InP on InP

අපට විද්‍යුත් තැපෑල එවන්න PDF ලෙස බාගන්න

නිෂ්පාදන විස්තර

නිෂ්පාදන ටැග්

උසස් තත්ත්වයේ MOCVD Susceptor චීනයේ අන්තර්ජාලය හරහා මිලදී ගන්න

ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංගවල භාවිතයට සූදානම් වීමට පෙර වේෆරයක් පියවර කිහිපයක් හරහා යාමට අවශ්‍ය වේ. එක් වැදගත් ක්‍රියාවලියක් වන්නේ සිලිකන් එපිටැක්සි වන අතර, එම වේෆර් ග්‍රැෆයිට් ප්‍රතිග්‍රාහක මත රැගෙන යයි. susceptors වල ගුණ සහ ගුණය වේෆර්ගේ epitaxial ස්ථරයේ ගුණාත්මක භාවයට තීරණාත්මක බලපෑමක් ඇති කරයි.

epitaxy හෝ MOCVD වැනි තුනී පටල තැන්පත් වීමේ අවධීන් සඳහා, VET උපස්ථර හෝ "වේෆර්" සඳහා සහාය වීමට භාවිතා කරන අති-පිරිසිදු ග්‍රැෆයිට් උපකරණ සපයයි. මෙම ක්‍රියාවලියේ හරය, MOCVD සඳහා මෙම උපකරණ, epitaxy susceptors හෝ සැටලයිට් වේදිකා, ප්‍රථමයෙන් තැන්පත් පරිසරයට යටත් වේ:

ඉහළ උෂ්ණත්වය.
ඉහළ රික්තය.
ආක්රමණශීලී වායුමය පූර්වගාමීන් භාවිතා කිරීම.
ශුන්ය දූෂණය, පීලිං නොමැති වීම.
පිරිසිදු කිරීමේ මෙහෙයුම් වලදී ශක්තිමත් අම්ල වලට ප්රතිරෝධය

VET Energy යනු අර්ධ සන්නායක සහ ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා කර්මාන්තය සඳහා ආලේපනයක් සහිත අභිරුචිකරණය කරන ලද මිනිරන් සහ සිලිකන් කාබයිඩ් නිෂ්පාදනවල සැබෑ නිෂ්පාදකයා වේ. අපගේ තාක්ෂණික කණ්ඩායම ඉහළ දේශීය පර්යේෂණ ආයතන වලින් පැමිණේ, ඔබට වඩාත් වෘත්තීය ද්‍රව්‍යමය විසඳුම් ලබා දිය හැකිය.

අපි වඩාත් දියුණු ද්‍රව්‍ය සැපයීම සඳහා උසස් ක්‍රියාවලි අඛණ්ඩව සංවර්ධනය කරන අතර, ආලේපනය සහ උපස්ථරය අතර බන්ධනය වඩාත් තද කළ හැකි සහ වෙන්වීමට ඇති ඉඩකඩ අඩු කළ හැකි සුවිශේෂී පේටන්ට් බලපත්‍ර තාක්ෂණයක් සකස් කර ඇත.

අපගේ නිෂ්පාදනවල විශේෂාංග:

1. 1700℃ දක්වා ඉහළ උෂ්ණත්ව ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය.
2. ඉහළ සංශුද්ධතාවය සහ තාප ඒකාකාරිත්වය
3. විශිෂ්ට විඛාදන ප්රතිරෝධය: අම්ලය, ක්ෂාර, ලුණු සහ කාබනික ප්රතික්රියාකාරක.
4. ඉහළ දෘඪතාව, සංයුක්ත මතුපිට, සියුම් අංශු.
5. දිගු සේවා කාලය සහ වඩා කල් පවතින

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC හි මූලික භෞතික ගුණාංගආලේපනය
性质 / දේපල	典型数值 / සාමාන්ය අගය
晶体结构 / ස්ඵටික ව්යුහය	FCC β අදියර多晶,主要为（111）取向
密度 / ඝනත්වය	3.21 g/cm³
硬度 / දෘඪතාව	2500 维氏硬度 (ග්රෑම් 500 බර)
晶粒大小 / ධාන්ය ප්රමාණය	2~10μm
纯度 / රසායනික සංශුද්ධතාවය	99.99995%
热容 / තාප ධාරිතාව	640 J·kg^-1·කේ^-1
升华温度 / Sublimation උෂ්ණත්වය	2700℃
抗弯强度 / Flexural ශක්තිය	415 MPa RT 4-ලක්ෂ්‍යය
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt වංගුව, 1300℃
导热系数 / තාපඑල්සන්නායකතාව	300W·m^-1·කේ^-1
热膨胀系数 / තාප ප්‍රසාරණය (CTE)	4.5×10^-6K^-1