අඟල් 12 SOI වේෆර්

කෙටි විස්තරය:

VET Energy විසින් සාඩම්බරයෙන් ඔබ වෙත ගෙන එන තාක්‍ෂණික ආශ්චර්යයක් වන අති නවීන අඟල් 12 SOI Wafer සමඟින් පෙර නොවූ විරූ ආකාරයේ නවෝත්පාදනයක් අත්විඳින්න. නිරවද්‍යතාවයෙන් සහ ප්‍රවීණතාවයෙන් නිර්මාණය කර ඇති මෙම Silicon-On-Insulator වේෆර් කර්මාන්ත ප්‍රමිතීන් නැවත නිර්වචනය කරයි, අසමසම ගුණාත්මක භාවය සහ කාර්ය සාධනය ලබා දෙයි.

අපට විද්‍යුත් තැපෑල එවන්න PDF ලෙස බාගන්න

නිෂ්පාදන විස්තර

නිෂ්පාදන ටැග්

VET Energy 12-inch SOI වේෆර් යනු එහි විශිෂ්ට විද්‍යුත් ගුණාංග සහ අද්විතීය ව්‍යුහය සඳහා බෙහෙවින් අනුග්‍රහය දක්වන ඉහළ ක්‍රියාකාරී අර්ධ සන්නායක උපස්ථර ද්‍රව්‍යයකි. VET Energy උසස් SOI වේෆර් නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලීන් භාවිතා කරමින් වේෆරයට අතිශයින් අඩු කාන්දු වන ධාරාවක්, අධික වේගයක් සහ විකිරණ ප්‍රතිරෝධයක් ඇති බව සහතික කර, ඔබේ ඉහළ කාර්ය සාධනය සහිත ඒකාබද්ධ පරිපථ සඳහා ශක්තිමත් පදනමක් සපයයි.

VET Energy හි නිෂ්පාදන පෙළ SOI වේෆර්වලට සීමා නොවේ. අපි Si Wafer, SiC උපස්ථරය, SiN උපස්ථරය, Epi Wafer, ආදිය ඇතුළු පුළුල් පරාසයක අර්ධ සන්නායක උපස්ථර ද්‍රව්‍ය මෙන්ම Gallium Oxide Ga2O3 සහ AlN Wafer වැනි නව පුළුල් කලාප ගැප් අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍ය ද සපයන්නෙමු. මෙම නිෂ්පාදන බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ, RF, සංවේදක සහ වෙනත් ක්ෂේත්‍රවල විවිධ පාරිභෝගිකයින්ගේ යෙදුම් අවශ්‍යතා සපුරාලිය හැකිය.

විශිෂ්ටත්වය කෙරෙහි අවධානය යොමු කරමින්, අපගේ SOI වේෆර් සෑම මෙහෙයුම් මට්ටමකදීම විශ්වසනීයත්වය සහ කාර්යක්ෂමතාව සහතික කිරීම සඳහා ගැලියම් ඔක්සයිඩ් Ga2O3, කැසට් සහ AlN වේෆර් වැනි උසස් ද්‍රව්‍ය ද භාවිතා කරයි. තාක්‍ෂණික දියුණුවට මග පාදන අති නවීන විසඳුම් සැපයීමට VET Energy විශ්වාස කරන්න.

VET Energy අඟල් 12 SOI වේෆර්වල උසස් කාර්ය සාධනය සමඟින් ඔබේ ව්‍යාපෘතියේ විභවය මුදාහරින්න. අර්ධ සන්නායක තාක්‍ෂණයේ ගතික ක්‍ෂේත්‍රයේ සාර්ථකත්වය සඳහා අඩිතාලම දමමින් ගුණාත්මක, නිරවද්‍යතාවය සහ නවෝත්පාදන ඇතුළත් වේෆර් සමඟ ඔබේ නවෝත්පාදන හැකියාවන් ඉහළ නංවන්න. බලාපොරොත්තු ඉක්මවන වාරික SOI වේෆර් විසඳුම් සඳහා VET Energy තෝරන්න.

WAFERING පිරිවිතර

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

අයිතමය	8-අඟල්	6-අඟල්			4-අඟල්
අයිතමය	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6 උ	≤6 උ
Bow(GF3YFCD)-නිරපේක්ෂ අගය	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
වේෆර් එජ්	Beveling

මතුපිට නිමාව

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

අයිතමය	8-අඟල්	6-අඟල්			4-අඟල්
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
මතුපිට නිමාව	ද්විත්ව පැත්ත ඔප්ටිකල් පොලිෂ්, Si- මුහුණ CMP
මතුපිට රළුබව	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
එජ් චිප්ස්	කිසිවකට අවසර නැත (දිග සහ පළල≥0.5mm)
ඉන්ඩෙන්ට්ස්	කිසිවකට අවසර නැත
සීරීම් (Si-Face)	Qty.≤5, සමුච්චිත දිග≤0.5× වේෆර් විෂ්කම්භය	Qty.≤5, සමුච්චිත දිග≤0.5× වේෆර් විෂ්කම්භය			Qty.≤5, සමුච්චිත දිග≤0.5× වේෆර් විෂ්කම්භය
ඉරිතැලීම්	කිසිවකට අවසර නැත
දාර බැහැර කිරීම	3 මි.මී