SiC ڪوٽنگ graphite MOCVD Wafer ڪيريئر،Graphite SusceptorsSiC Epitaxy لاء،
ڪاربن جي فراهمي جي susceptors, EPITAXY ۽ MOCVD, epitaxy susceptors, Graphite susceptors جي فراهمي جي, Graphite Susceptors, گريفائيٽ ٽري,

CVD-SiC ڪوٽنگ ۾ يونيفارم ڍانچي، ڪمپيڪٽ مواد، تيز گرمي پد جي مزاحمت، آڪسائيڊشن جي مزاحمت، اعلي پاڪائي، تيزاب ۽ الڪلي مزاحمت ۽ نامياتي ريجنٽ، مستحڪم جسماني ۽ ڪيميائي ملڪيتن سان گڏ خاصيتون آهن.

اعلي پاڪائي واري گرافائٽ مواد جي مقابلي ۾، گرافائٽ 400C تي آڪسائيڊ ڪرڻ شروع ڪري ٿو، جيڪو آڪسائيڊشن جي ڪري پائوڊر جي نقصان جو سبب بڻجندو، نتيجي ۾ ماحولياتي آلودگي پردي جي ڊوائيسز ۽ ويڪيوم چيمبرن کي، ۽ اعلي پاڪائي واري ماحول جي نجاست کي وڌايو.

تنهن هوندي به، SiC ڪوٽنگ 1600 درجا تي جسماني ۽ ڪيميائي استحڪام برقرار رکي سگهي ٿو، ان کي وڏي پيماني تي جديد صنعت ۾ استعمال ڪيو ويندو آهي، خاص طور تي semiconductor صنعت ۾.

اسان جي ڪمپني گرافائٽ، سيرامڪس ۽ ٻين مواد جي مٿاڇري تي سي وي ڊي طريقي سان سي سي ڪوٽنگ پروسيسنگ سروس فراهم ڪري ٿي، انهي ڪري ته ڪاربان ۽ سلڪون تي مشتمل خاص گيسز تيز گرمي پد تي رد عمل ظاهر ڪن ٿيون ته اعلي پاڪائي حاصل ڪرڻ لاءِ SiC ماليڪيولز، ڪوٽنگ ٿيل مواد جي مٿاڇري تي جمع ٿيل ماليڪيول، SIC حفاظتي پرت ٺاهڻ. ٺهيل SIC گريفائٽ بيس سان مضبوطي سان جڙيل آهي، گريفائٽ بيس کي خاص خاصيتون ڏئي ٿي، اهڙيءَ طرح گريفائٽ جي مٿاڇري کي ڪمپيڪٽ، پورسيٽي-آزاد، تيز گرمي پد جي مزاحمت، سنکنرن جي مزاحمت ۽ آڪسائيڊشن جي مزاحمت پيدا ڪري ٿي.

درخواست:

مکيه خاصيتون:

1. تيز گرمي پد آڪسائيڊ مزاحمت:

جڏهن گرمي پد 1700 سينٽي گريڊ کان وڌيڪ آهي ته آڪسائيڊشن جي مزاحمت اڃا به تمام سٺي آهي.

2. اعلي پاڪائي: اعلي درجه حرارت جي ڪلورينيشن جي حالت ۾ ڪيميائي وانپ جمع ڪرڻ سان ٺهيل.

3. Erosion مزاحمت: اعلي سختي، ٺهيل مٿاڇري، ٺيڪ ذرات.

4. corrosion مزاحمت: امل، alkali، لوڻ ۽ نامياتي reagents.

CVD-SIC ڪوٽنگن جون مکيه وضاحتون:

جي فراهمي جي صلاحيت:

10000 ٽڪرو / ٽڪرو في مهيني
پيڪنگ ۽ پهچائڻ:
پيڪنگ: معياري ۽ مضبوط پيڪنگ
Poly bag + Box + Carton + Pallet
پورٽ:
نگبو / شينزين / شنگھائي
اهم وقت: