پيداوار جي وضاحت
اسان جي ڪمپني گرافائٽ، سيرامڪس ۽ ٻين مواد جي مٿاڇري تي سي وي ڊي طريقي سان سي سي ڪوٽنگ پروسيسنگ سروس فراهم ڪري ٿي، انهي ڪري ته ڪاربان ۽ سلڪون تي مشتمل خاص گيسز تيز گرمي پد تي رد عمل ظاهر ڪن ٿيون ته اعلي پاڪائي حاصل ڪرڻ لاءِ SiC ماليڪيولز، ڪوٽنگ ٿيل مواد جي مٿاڇري تي جمع ٿيل ماليڪيول، SIC حفاظتي پرت ٺاهڻ.
مکيه خاصيتون:
1. تيز گرمي پد آڪسائيڊ مزاحمت:
جڏهن گرمي پد 1600 سينٽي گريڊ کان وڌيڪ آهي ته آڪسائيڊشن جي مزاحمت اڃا به تمام سٺي آهي.
2. اعلي پاڪائي: اعلي درجه حرارت ڪلورينيشن جي حالت ۾ ڪيميائي وانپ جي جمع ذريعي ٺهيل.
3. Erosion مزاحمت: اعلي سختي، ٺهيل مٿاڇري، ٺيڪ ذرات.
4. corrosion مزاحمت: امل، alkali، لوڻ ۽ نامياتي reagents.
CVD-SIC ڪوٽنگ جي مکيه وضاحتون
| SiC-CVD ملڪيت | ||
| کرسٽل جي جوڙجڪ | FCC β مرحلو | |
| کثافت | g/cm ³ | 3.21 |
| سختي | ويڪرز جي سختي | 2500 |
| اناج جي ماپ | μm | 2 ~ 10 |
| ڪيميائي صفائي | % | 99.99995 |
| گرمي جي گنجائش | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| آبهوا جي درجه حرارت | ℃ | 2700 |
| Felexural طاقت | MPa (RT 4-پوائنٽ) | 415 |
| نوجوان جي ماڊلس | Gpa (4pt موڙ، 1300℃) | 430 |
| حرارتي توسيع (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| حرارتي چالکائي | (W/mK) | 300 |
