Новости

Каковы дефекты эпитаксиального слоя карбида кремния?
от администратора 24.06.05
Основной технологией выращивания эпитаксиальных материалов SiC является, во-первых, технология контроля дефектов, особенно технология контроля дефектов, которая подвержена сбоям в работе устройств или снижению надежности. Изучение механизма дефектов подложки, распространяющихся в эпи...
Читать далее
Технология окисленного стоячего зерна и эпитаксиального роста-Ⅱ
от администратора 24.05.30
2. Выращивание эпитаксиальной тонкой пленки. Подложка обеспечивает физический опорный слой или проводящий слой для силовых устройств Ga2O3. Следующим важным слоем является канальный слой или эпитаксиальный слой, используемый для сопротивления напряжению и транспортировки несущей. Чтобы увеличить напряжение пробоя и минимизировать потери...
Читать далее
Технология монокристаллического и эпитаксиального выращивания оксида галлия
от администратора 24.05.30
Широкозонные полупроводники (WBG), представленные карбидом кремния (SiC) и нитридом галлия (GaN), получили широкое внимание. Люди возлагают большие надежды на перспективы применения карбида кремния в электромобилях и электросетях, а также на перспективы применения галлия...
Читать далее
Каковы технические барьеры на пути к карбиду кремния?Ⅱ
от администратора 24.05.22
Технические трудности в стабильном массовом производстве высококачественных пластин карбида кремния со стабильными характеристиками включают в себя: 1) Поскольку кристаллы должны расти в высокотемпературной герметичной среде выше 2000 ° C, требования к контролю температуры чрезвычайно высоки; 2) Поскольку карбид кремния имеет...
Читать далее
Каковы технические барьеры для карбида кремния?
от администратора 24.05.22
Первое поколение полупроводниковых материалов представлено традиционными кремнием (Si) и германием (Ge), которые являются основой для производства интегральных схем. Они широко используются в низковольтных, низкочастотных и маломощных транзисторах и детекторах. Более 90% полупроводниковой продукции...
Читать далее
Как изготавливается микропорошок SiC?
от администратора 24.05.13
Монокристалл SiC представляет собой составной полупроводниковый материал групп IV-IV, состоящий из двух элементов, Si и C, в стехиометрическом соотношении 1:1. Его твердость уступает только алмазу. Метод восстановления углеродом оксида кремния для получения SiC в основном основан на следующей формуле химической реакции...
Читать далее
Как эпитаксиальные слои помогают полупроводниковым устройствам?
от администратора 24.05.13
Происхождение названия «эпитаксиальная пластина» Для начала давайте популяризируем небольшую концепцию: подготовка пластин включает в себя два основных звена: подготовку подложки и эпитаксиальный процесс. Подложка представляет собой пластину из полупроводникового монокристаллического материала. Подложка может поступать непосредственно на производство пластин...
Читать далее
Введение в технологию химического осаждения из паровой фазы (CVD)
от администратора 24 мая 2006 г.
Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) — это важная технология осаждения тонких пленок, часто используемая для изготовления различных функциональных пленок и тонкослойных материалов, а также широко используемая в производстве полупроводников и других областях. 1. Принцип работы CVD. В процессе CVD используется прекурсор газа (один или...
Читать далее
Секрет «черного золота» фотоэлектрической полупроводниковой промышленности: желание и зависимость от изостатического графита
от администратора 24 мая 2006 г.
Изостатический графит — очень важный материал в фотогальванике и полупроводниках. С быстрым ростом отечественных компаний изостатического графита монополия иностранных компаний в Китае была нарушена. Благодаря непрерывным независимым исследованиям и разработкам, а также технологическим прорывам, ...
Читать далее