Новости

Виды специального графита
от администратора 24.06.17
Специальный графит представляет собой графитовый материал высокой чистоты, высокой плотности и высокой прочности, обладающий превосходной коррозионной стойкостью, высокой температурной стабильностью и отличной электропроводностью. Он изготовлен из натурального или искусственного графита после высокотемпературной термообработки и обработки под высоким давлением...
Читать далее
Анализ оборудования для нанесения тонких пленок – принципы и применение оборудования PECVD/LPCVD/ALD
от администратора 24.06.12
Нанесение тонких пленок заключается в нанесении слоя пленки на основной материал подложки полупроводника. Эта пленка может быть изготовлена из различных материалов, таких как изоляционный состав диоксида кремния, полупроводниковый поликремний, металлическая медь и т. д. Оборудование, используемое для нанесения покрытия, называется осаждением тонких пленок...
Читать далее
Важные материалы, определяющие качество роста монокристаллического кремния – тепловое поле
от администратора 24.06.12
Процесс роста монокристаллического кремния полностью осуществляется в термическом поле. Хорошее тепловое поле способствует улучшению качества кристаллов и имеет более высокую эффективность кристаллизации. Конструкция теплового поля во многом определяет изменения температурных градиентов...
Читать далее
Каковы технические трудности печи для выращивания кристаллов карбида кремния?
от администратора 24.06.07
Печь для выращивания кристаллов является основным оборудованием для выращивания кристаллов карбида кремния. Она похожа на традиционную печь для выращивания кристаллов кристаллического кремния. Конструкция печи не очень сложна. В основном он состоит из корпуса печи, системы отопления, механизма передачи катушки...
Читать далее
Каковы дефекты эпитаксиального слоя карбида кремния?
от администратора 24.06.05
Основной технологией выращивания эпитаксиальных материалов SiC является, во-первых, технология контроля дефектов, особенно технология контроля дефектов, которая подвержена сбоям в работе устройств или снижению надежности. Изучение механизма дефектов подложки, распространяющихся в эпи...
Читать далее
Технология окисленного стоячего зерна и эпитаксиального роста-Ⅱ
от администратора 24.05.30
2. Выращивание эпитаксиальной тонкой пленки. Подложка обеспечивает физический опорный слой или проводящий слой для силовых устройств Ga2O3. Следующим важным слоем является канальный слой или эпитаксиальный слой, используемый для сопротивления напряжению и транспортировки несущей. Чтобы увеличить напряжение пробоя и минимизировать потери...
Читать далее
Технология монокристаллического и эпитаксиального выращивания оксида галлия
от администратора 24.05.30
Широкозонные полупроводники (WBG), представленные карбидом кремния (SiC) и нитридом галлия (GaN), получили широкое внимание. Люди возлагают большие надежды на перспективы применения карбида кремния в электромобилях и электросетях, а также на перспективы применения галлия...
Читать далее
Каковы технические барьеры на пути использования карбида кремния?Ⅱ
от администратора 24.05.22
Технические трудности в стабильном массовом производстве высококачественных пластин карбида кремния со стабильными характеристиками включают в себя: 1) Поскольку кристаллы должны расти в высокотемпературной герметичной среде выше 2000 ° C, требования к контролю температуры чрезвычайно высоки; 2) Поскольку карбид кремния имеет...
Читать далее
Каковы технические барьеры для карбида кремния?
от администратора 24.05.22
Первое поколение полупроводниковых материалов представлено традиционными кремнием (Si) и германием (Ge), которые являются основой для производства интегральных схем. Они широко используются в низковольтных, низкочастотных и маломощных транзисторах и детекторах. Более 90% полупроводниковой продукции...
Читать далее