Покрытие SiC может быть получено методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), трансформации прекурсора, плазменного напыления и т. д. Покрытие, полученное методом ХИМИЧЕСКОГО осаждения из паровой фазы, является однородным, компактным и имеет хорошие возможности проектирования. Использование метилтрихлорсилана. (CHzSiCl3, MTS) в качестве источника кремния, подготовка покрытия SiC...
Читать далее