Керамическая мишень Sic из карбида кремния для распыления покрытия, стержень Sic, силиконовый стержень для машиностроения

Краткое описание:


Информация о продукте

Теги продукта

Придерживаясь теории «качество, услуги, производительность и рост», мы получили доверие и похвалы от отечественных и международных покупателей сертификата IOS в Китае 99,5%.Sic Керамическая МишеньМишень для распыления карбида кремния для покрытия. Наши основные цели - предоставить нашим клиентам по всему миру хорошее качество, конкурентоспособные цены, удовлетворительную доставку и отличный сервис.
Придерживаясь теории «качества, услуг, производительности и роста», мы получили доверие и похвалы от отечественных и международных покупателей.Китайская мишень для распыления карбида кремния, Sic Керамическая Мишень, Теперь у нас есть строгая и полная система контроля качества, которая гарантирует, что каждый продукт соответствует требованиям клиентов к качеству.Кроме того, все наши товары проходят строгую проверку перед отправкой.

Описание продукта

Карбон/углеродные композиты(именуемое в дальнейшем "К/С или ХФУ») — разновидность композиционного материала на основе углерода, армированного углеродным волокном и изделиями из него (углеродной заготовкой).Он обладает как инерцией углерода, так и высокой прочностью углеродного волокна.Он обладает хорошими механическими свойствами, термостойкостью, коррозионной стойкостью, демпфированием трения, а также характеристиками тепло- и электропроводности.

CVD-SiCПокрытие имеет характеристики однородной структуры, компактного материала, устойчивости к высоким температурам, стойкости к окислению, высокой чистоты, устойчивости к кислотам и щелочам и органических реагентов, а также стабильных физических и химических свойств.

По сравнению с графитовыми материалами высокой чистоты, графит начинает окисляться при 400°C, что приводит к потере порошка из-за окисления, что приводит к загрязнению окружающей среды периферийных устройств и вакуумных камер, а также к увеличению примесей среды высокой чистоты.

Однако покрытие SiC может сохранять физическую и химическую стабильность при температуре 1600 градусов. Оно широко используется в современной промышленности, особенно в полупроводниковой промышленности.

Наша компания предоставляет услуги по нанесению покрытия SiC методом CVD на поверхность графита, керамики и других материалов, так что специальные газы, содержащие углерод и кремний, реагируют при высокой температуре с получением молекул SiC высокой чистоты, молекул, осаждаемых на поверхности материалов с покрытием, образуя защитный слой SIC.Образованный SIC прочно связан с графитовой основой, придавая графитовой основе особые свойства, что делает поверхность графита компактной, непористой, устойчивой к высоким температурам, коррозионной стойкости и стойкости к окислению.

 Обработка покрытия SiC на графитовой поверхности MOCVD-приемников

Основные особенности:

1. Устойчивость к высокотемпературному окислению:

стойкость к окислению остается очень хорошей при температуре до 1600 C.

2. Высокая чистота: производится методом химического осаждения из паровой фазы в условиях высокотемпературного хлорирования.

3. Устойчивость к эрозии: высокая твердость, компактная поверхность, мелкие частицы.

4. Коррозионная стойкость: кислоты, щелочи, соли и органические реагенты.

 

Основные характеристики покрытий CVD-SIC:

SiC-CVD

Плотность

(г/см3)

3.21

Предел прочности при изгибе

(МПа)

470

Тепловое расширение

(10-6/К)

4

Теплопроводность

(Вт/мК)

300

Детальные изображения

Обработка покрытия SiC на графитовой поверхности MOCVD-приемниковОбработка покрытия SiC на графитовой поверхности MOCVD-приемниковОбработка покрытия SiC на графитовой поверхности MOCVD-приемниковОбработка покрытия SiC на графитовой поверхности MOCVD-приемниковОбработка покрытия SiC на графитовой поверхности MOCVD-приемников

Информация о компании

111

Заводское оборудование

222

Склад

333

Сертификаты

Сертификаты22

 


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Онлайн-чат WhatsApp!