эпитаксиальный арсенид-фосфид галлия

Краткое описание:

Эпитаксиальные арсенид-фосфидные структуры галлия, аналогичные получаемым структурам подложки типа АСП (ЭТ0.032.512ТУ), для. производство плоских красных светодиодных кристаллов.

Отправьте нам электронное письмо Скачать в формате PDF

Детали продукта

Теги продукта

Основной технический параметр
к арсенид-фосфидным структурам галлия

1, подложкаGaAs
а. Тип проводимости	электронный
б. Удельное сопротивление, Ом-см	0,008
в. Ориентация кристаллической решетки	(100)
д. Разориентировка поверхности	(1−3)°

2. Эпитаксиальный слой GaAs1-х Pх.
а. Тип проводимости	электронный
б. Содержание фосфора в переходном слое	от х = 0 до х ≈ 0,4
в. Содержание фосфора в слое постоянного состава	х ≈ 0,4
д. Концентрация носителя, см3	(0,2−3,0)·1017
е. Длина волны в максимуме спектра фотолюминесценции, нм	645–673 нм
ф. Длина волны в максимуме спектра электролюминесценции	650−675 нм
г. Толщина слоя постоянная, мкм	Не менее 8 нм
час Толщина слоя (общая), мкм	Не менее 30 нм

3 Пластина с эпитаксиальным слоем
а. Прогиб, микрон	Максимум 100 мкм
б. Толщина, микрон	360−600 мкм
в. Квадратный сантиметр	Не менее 6 см2
д. Удельная сила света (после диффузии Zn), кд/ампер	Не менее 0,05 кд/ампер