Ştiri

Piedestale utilizate în mod obișnuit pentru epitaxie în fază de vapori
de admin pe 24-07-30
În timpul procesului de epitaxie în fază de vapori (VPE), rolul piedestalului este de a susține substratul și de a asigura o încălzire uniformă în timpul procesului de creștere. Diferite tipuri de piedestale sunt potrivite pentru diferite condiții de creștere și sisteme de materiale. Următoarele sunt câteva...
Citeşte mai mult
Cum se prelungește durata de viață a produselor acoperite cu carbură de tantal?
de admin pe 24-07-26
Produsele acoperite cu carbură de tantal sunt un material de înaltă temperatură utilizat în mod obișnuit, caracterizat prin rezistență la temperatură ridicată, rezistență la coroziune, rezistență la uzură etc. Prin urmare, sunt utilizate pe scară largă în industrii precum cea aerospațială, chimică și energetică. Pentru a ex...
Citeşte mai mult
Care este diferența dintre PECVD și LPCVD în echipamentele CVD cu semiconductor?
de admin pe 24-07-24
Depunerea chimică în vapori (CVD) se referă la procesul de depunere a unui film solid pe suprafața unei plachete de siliciu printr-o reacție chimică a unui amestec de gaze. În funcție de diferitele condiții de reacție (presiune, precursor), acesta poate fi împărțit în diverse echipamente...
Citeşte mai mult
Caracteristicile matriței din grafit cu carbură de siliciu
de admin pe 24-07-18
Matriză din grafit cu carbură de siliciu Forma din grafit cu carbură de siliciu este o matriță compozită cu carbură de siliciu (SiC) ca bază și grafit ca material de armare. Această matriță are o conductivitate termică excelentă, rezistență la temperaturi ridicate, rezistență la coroziune și...
Citeşte mai mult
proces semiconductor proces complet de fotolitografie
de admin pe 24-07-16
Fabricarea fiecărui produs semiconductor necesită sute de procese. Împărțim întregul proces de fabricație în opt etape: prelucrare plachetă-oxidare-fotolitografie-gravare-depunere de film subțire-creștere epitaxială-difuzie-implantare de ioni. Pentru a te ajuta...
Citeşte mai mult
4 miliarde! SK Hynix anunță investiții în ambalaje avansate în semiconductori la Purdue Research Park
de admin pe 24-07-09
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. a anunțat planuri de a investi aproape 4 miliarde de dolari pentru a construi o unitate avansată de producție de ambalaje și cercetare și dezvoltare pentru produse de inteligență artificială la Purdue Research Park. Stabilirea unei verigă-cheie în lanțul de aprovizionare cu semiconductori din SUA în West Lafayett...
Citeşte mai mult
Tehnologia laser conduce la transformarea tehnologiei de prelucrare a substratului cu carbură de siliciu
de admin pe 24-07-08
1. Prezentare generală a tehnologiei de prelucrare a substratului cu carbură de siliciu Pașii actuali de prelucrare a substratului cu carbură de siliciu includ: șlefuirea cercului exterior, tăierea, teșirea, șlefuirea, lustruirea, curățarea etc. Tăierea este un pas important în pr...
Citeşte mai mult
Materiale principale pentru câmpul termic: materiale compozite C/C
de admin pe 24-07-01
Compozitele carbon-carbon sunt un tip de compozite din fibră de carbon, cu fibra de carbon ca material de armare și carbon depus ca material de matrice. Matricea compozitelor C/C este carbonul. Deoarece este compus aproape în întregime din carbon elementar, are o rezistență excelentă la temperaturi ridicate...
Citeşte mai mult
Trei tehnici majore pentru creșterea cristalelor de SiC
de admin pe 24-07-01
După cum se arată în Fig. 3, există trei tehnici dominante care urmăresc să ofere un singur cristal de SiC cu o calitate și eficiență înaltă: epitaxie în fază lichidă (LPE), transport fizic de vapori (PVT) și depunere chimică de vapori la temperatură înaltă (HTCVD). PVT este un proces bine stabilit pentru producerea SiC sin...
Citeşte mai mult