Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência ao choque físico
· Excelente resistência química
· Pureza Super Alta
· Disponibilidade em formato complexo
·Utilizável sob atmosfera oxidante
Aplicativo:
Características e vantagens do produto:
1. Resistência térmica superior:Com alta purezaRevestimento de SiC, o substrato resiste a temperaturas extremas, garantindo desempenho consistente em ambientes exigentes, como epitaxia e fabricação de semicondutores.
2. Maior durabilidade:Os componentes de grafite revestidos com SiC são projetados para resistir à corrosão e oxidação química, aumentando a vida útil do substrato em comparação com substratos de grafite padrão.
3. Grafite com revestimento vítreo:A estrutura vítrea única doRevestimento de SiCfornece excelente dureza superficial, minimizando o desgaste durante o processamento em alta temperatura.
4. Revestimento SiC de alta pureza:Nosso substrato garante contaminação mínima em processos sensíveis de semicondutores, oferecendo confiabilidade para indústrias que exigem pureza rigorosa de material.
5. Ampla aplicação no mercado:OSusceptor de grafite revestido com SiCO mercado continua a crescer à medida que aumenta a demanda por produtos avançados revestidos de SiC na fabricação de semicondutores, posicionando este substrato como um player-chave tanto no mercado de transportadores de wafer de grafite quanto no mercado de bandejas de grafite revestidas de carboneto de silício.
Propriedades típicas do material base de grafite:
Densidade Aparente: | 1,85g/cm3 |
Resistividade Elétrica: | 11 μΩm |
Força Flexural: | 49MPa (500kgf/cm2) |
Dureza Shore: | 58 |
Cinzas: | <5 ppm |
Condutividade Térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
DCV SiC薄膜基本物理性能 Propriedades físicas básicas do CVD SiCrevestimento | |
性质 / Propriedade | 典型数值 / Valor típico |
晶体结构 / Estrutura Cristalina | Fase β da FCC |
Densidade / Densidade | 3,21g/cm³ |
硬度 / Dureza | 2500 unidades (carga de 500g) |
晶粒大小 / Grain SiZe | 2~10μm |
纯度 / Pureza Química | 99,99995% |
热容 / Capacidade de Calor | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Temperatura de Sublimação | 2700°C |
抗弯强度 / Resistência à Flexão | 415 MPa RT de 4 pontos |
Módulo de Young | Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
导热系数 / Condutividade Térmica | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy é o verdadeiro fabricante de produtos personalizados de grafite e carboneto de silício com diferentes revestimentos, como revestimento SiC, revestimento TaC, revestimento de carbono vítreo, revestimento de carbono pirolítico, etc., pode fornecer várias peças personalizadas para a indústria de semicondutores e fotovoltaica.
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