Notícias

Pedestais comumente usados para epitaxia em fase de vapor
por administrador em 24/07/30
Durante o processo de epitaxia em fase de vapor (VPE), a função do pedestal é apoiar o substrato e garantir aquecimento uniforme durante o processo de crescimento. Diferentes tipos de pedestais são adequados para diferentes condições de crescimento e sistemas de materiais. A seguir estão alguns...
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Como prolongar a vida útil dos produtos revestidos com carboneto de tântalo?
por administrador em 24/07/26
Os produtos revestidos de carboneto de tântalo são um material comumente usado para altas temperaturas, caracterizado por resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão, resistência ao desgaste, etc. Portanto, eles são amplamente utilizados em indústrias como aeroespacial, química e energia. Para ex...
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Qual é a diferença entre PECVD e LPCVD em equipamentos semicondutores CVD?
por administrador em 24/07/24
A deposição química de vapor (CVD) refere-se ao processo de deposição de um filme sólido na superfície de uma pastilha de silício por meio de uma reação química de uma mistura gasosa. De acordo com as diferentes condições de reação (pressão, precursor), pode ser dividido em diversos equipamentos...
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Características do molde de grafite de carboneto de silício
por administrador em 24/07/18
Molde de grafite de carboneto de silício O molde de grafite de carboneto de silício é um molde composto com carboneto de silício (SiC) como base e grafite como material de reforço. Este molde possui excelente condutividade térmica, resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão e...
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Processo semicondutor processo completo de fotolitografia
por administrador em 24/07/16
A fabricação de cada produto semicondutor requer centenas de processos. Dividimos todo o processo de fabricação em oito etapas: processamento de wafer-oxidação-fotolitografia-gravação-deposição de filme fino-crescimento epitaxial-difusão-implantação de íons. Para ajudar você...
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4 bilhões! SK Hynix anuncia investimento em embalagens avançadas de semicondutores no Purdue Research Park
por administrador em 24-07-09
West Lafayette, Indiana – A SK hynix Inc. anunciou planos de investir quase US$ 4 bilhões para construir uma instalação avançada de fabricação de embalagens e P&D para produtos de inteligência artificial no Purdue Research Park. Estabelecendo um elo fundamental na cadeia de fornecimento de semicondutores dos EUA em West Lafayett...
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A tecnologia laser lidera a transformação da tecnologia de processamento de substrato de carboneto de silício
por administrador em 24/07/08
1. Visão geral da tecnologia de processamento de substrato de carboneto de silício As etapas atuais de processamento de substrato de carboneto de silício incluem: retificação do círculo externo, fatiamento, chanfro, retificação, polimento, limpeza, etc.
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Materiais convencionais de campo térmico: materiais compostos C/C
por administrador em 24-07-01
Os compósitos carbono-carbono são um tipo de compósitos de fibra de carbono, com fibra de carbono como material de reforço e carbono depositado como material de matriz. A matriz dos compósitos C/C é o carbono. Por ser quase inteiramente composto de carbono elementar, possui excelente resistência a altas temperaturas.
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Três técnicas principais para o crescimento de cristais de SiC
por administrador em 24-07-01
3, existem três técnicas dominantes que visam fornecer cristal único de SiC com alta qualidade e eficiência: epitaxia em fase líquida (LPE), transporte físico de vapor (PVT) e deposição química de vapor em alta temperatura (HTCVD). PVT é um processo bem estabelecido para a produção de sin...
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