Susceptor de barril de grafite Epi Epitaxial

Susceptor de barril de grafite Epi Epitaxial

Susceptor de barril de grafite Epi Epitaxialé um dispositivo de suporte e aquecimento especialmente projetado, usado para reter e aquecer substratos semicondutores durante processos de fabricação, como processos de Deposição ou Epitaxia.

Sua estrutura é tipicamente cilíndrica ou levemente em forma de barril, a superfície apresenta múltiplos bolsões ou plataformas para colocação dos wafers, podendo ser de design sólido ou oco, dependendo do método de aquecimento.

As principais funções do susceptor de barril epitaxial:

-Suporte de substrato: contém com segurança vários wafers semicondutores;
-Fonte de calor: fornece altas temperaturas necessárias para o crescimento através do aquecimento;
-Uniformidade de temperatura: garante aquecimento uniforme dos substratos;
-Rotação: geralmente gira durante o crescimento para melhorar a uniformidade da temperatura e da distribuição de gases.

Princípio de funcionamento do susceptor de barril de grafite Epi:
- No reator epitaxial, o susceptor de barril é aquecido até a temperatura necessária (normalmente 1000°C-1200°C para epitaxia de silício);
-O susceptor do barril gira para garantir distribuição uniforme de temperatura e fluxo de gás;
-Os gases de reação se decompõem em altas temperaturas, formando camadas epitaxiais na superfície do substrato.

Aplicações:
-Usado principalmente para crescimento epitaxial de silício
-Também aplicável para epitaxia de outros materiais semicondutores como GaAs, InP, etc.

A VET Energy usa grafite de alta pureza com revestimento CVD-SiC para melhorar a estabilidade química:

As vantagens do Susceptor de Barril de Grafite Epi Epitaxial VET Energy:

-Estabilidade em altas temperaturas;
-Boa uniformidade térmica;
-Pode processar múltiplos substratos simultaneamente, melhorando a eficiência da produção;
-Quimicamente inerte, mantendo um ambiente de crescimento de alta pureza.